‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

4. p-n o'tish bilan boshqariluvchi M T ishlash prinsipini tushuntiring.
5. Asosga nisbatan zatvordagi va istokdagi kuchlanishlar о 'zgarganda
kanal geometriyasi qanday o ‘zgaradi?
6. M T tokiga zatvordagi va istokdagi kuchlanishlar qanday la ’sir
ко ‘rsatadi?
7. MTlaming ulanish sxemalarini aytib bering.
8. M T qanday ish rejimlarda ishlashi mumkin?
9. MTlaming VAXlarini keltiring.
10. MTlar asosiy parametrlarini ay ting va ular qanday topiladi?
11. Kanali qurilgan MDY — tranzistorning ishlash prinsipi nimadan iborat?
12. Kanali induksiyalangan MDY — tranzistorning ishlash prinsipi nimadan
iborat?
13. MTlar statik xarakteristikalari xususiyatlarini ayting.
14. Kanali qurilgan MDY — tranzistorlar statik VAXlari xususiyatlarini ayting.
15. Kanali induksiyalangan M DY — tranzistorlar statik VAXlari
xususiyatlarini ayting.
16. MTlaming chastota xususiyatlarini ayting.www.ziyouz.com
kutubxonasi
V II B O B . IN T E G R A L M IK R O S X E M A L A R
7.1 . Umumiy ma’lumotlar
In teg ra l m ikrosxem a (IMS) k o ‘p so n li tr a n z is to r , d io d ,
kondensator, rezistor va ularni bir-biriga ulovchi o ‘tkazgichlarni yagona
konstruksiyaga b irlash tirish n i (konstruktiv integratsiya); sxem ada
murakkab axborot o ‘zgartirishlar bajarilishini (sxemotexnik integratsiya);
y a g o n a te x n o lo g ik s ik ld a , b ir v a q tn in g o ‘z id a s x e m a n in g
elektroradioelem entlari (E R E ) hosil qilinishini, ulanishlar am alga
oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli b ir xil integral
m ikrosxem alar hosil qilish (texnologik integratsiya) ni aks ettiradi.
IM S, yagona texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot
o ‘zgartirishda m a’lum funksiyani bajaruvchi o ‘zaro elektr jih atd an
ulangan E R E lar m ajm uasidir.
IM S elektron asb o b lar q atoriga kiradi. U ning elektron asbob
sifatidagi asosiy xususiyati shundaki, u m ustaqil ravishda, m asalan,
axborotni eslab qolishi yoki signalni kuchaytirishi m um kin. Diskret
elem entlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun tranzistorlar,
rezistorlar va boshqa elem en tlard an iborat sxem ani qo4da yig4sh
zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi aw alam
bor kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IM Slarda elem entlar
bir-biri bilan metallash y o ‘li bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanm aydi
ham , payvand ham qilinm aydi. Buning natijasida yig‘ish, m ontaj qilish
ishlarining sifatini oshirish masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga
ega radioelektron qurilm alar ishlab chiqarishda ishonchlilik ta ’m inlandi.
H ozirgi k u n lard a tay y o rlash usuli va bunda hosil b o 'la d ig an
tuzilm asiga ko‘ra IM S larni b ir-b irid an prinsipial farqlanuvchi uch
turga ajratiladi: yarim o‘‘tkazgich, pardali va gibrid. IM Slarning har
turi, mikrosxem a tarkibiga kiruvchi elem entlar va kom ponentlar sonini
ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.
Element d eb , k o n stru k siy a si b o ‘y ich a k ristali yoki aso sd an
ajralmaydigan, ER E funksiyasini bajaruvchi IM Sning qismiga aytiladi.
IM S komponenti d eb , diskret elem ent funksiyasini bajaruvchi,
lekin m ontajdan aw al m ustaqil m ahsulot b o lg an IM Sning b o ‘lagiga
aytiladi.
Yig‘ish, m ontaj qilish operatsiyalarini bajarishda k om ponentlar
m ikrosxem a asosiga o ‘rn a tila d i. Q obiqsiz diod va tra n z isto rla r,
k o n d en sato rlarn in g m ax su s tu rla ri, kichik o ‘lcham li in d u k tiv likwww.ziyouz.com
kutubxonasi
g ‘a lta k la r i va b o s h q a la r s o d d a k o m p o n e n tla rg a , m u ra k k a b
kom ponentlarga esa — bir nechta elem entdan tashkil topgan, m asalan,
diod yoki tranzistorlar yig'm alari kiradi.
E lem entlari yarim o‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlam da hosil
qilingan m ikrosxem alar yarim o‘tkazgich IM S deb ataladi.
Elem entlari dielektrik asos sirtida parda ko‘rinishida hosil qilingan
m ikrosxem alar pardali IM S deb ataladi. P ardalar turli m ateriallarni
past bosim da yupqa qatlam sifatida o ‘tkazish yo‘li bilan hosil qilinadi.
Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga m uvofiq
IM Slarni yupqa pardali (qalinligi 1—2 m km ) va qalin pardali (qalinligi
10 m km dan yuqori) larga ajratiladi. A dabiyotlarda ko‘p hollarda
IM S yozuv o ‘m iga IS deb yoziladi.
H ozirgi kunda pardali diod va tran zisto rlarn in g p aram etrlari
barqaror b o ‘lm agani sababli, pardali IM Slar faqat passiv elem entlarga
(rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) ega.
Pardali texnologiyada elem ent param etrlarining ruxsat etilgan
tarqoqligi 1-^2 % dan oshm aydi. Passiv elem entlar param etrlari va
ularning barqarorligi hal qiluvchi aham iyat kasb etganda bu ju d a
m uhim b o ‘ladi. S hu sab a b d an p ard ali IS lar b a ’zi filtrlar, faza
o ‘zgarishiga sezgir va tanlovchi sxem alar, generatorlar va boshqalar
tayyorlashda ishlatiladi.