‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

X
b)
^ J
—
— I
—
l------------- о
= ( Z! (J
0 s i ’и M ' =
-
C&4
I
6.14-rasm . M Tning umumiy istok ulanishi (a) va
kichik signal rejimidagi ekvivalent sxemasi (b).
Ekvivalent sxemaga mos ravishda (6.14, b-rasm ) chegaraviy chastota
fcHEG shunday chastotaki, bu chastotada CZ1 sig‘im orqali oqayotgan
tok m iqdori SUZI generator tokiga teng b o ‘ladi:
fcH E G
f Q \
_ TO'Y
2 7tCzi V 2 7iL
(6.30)
Bu y erd a Uc l — c o n st b o ‘lg an d a S - d I s / d U zl s to k -z a tv o r
xarakteristika tikligi.
T ebranishlam ing m aksim al chastotasiwww.ziyouz.com
kutubxonasi
(6.31)
ifoda bilan aniqlanadi. Bu yerda: r, = (RKIR+Rf) / Rj — kirish va chiqish
qarshiliklari nisbati, t,= 2 p R,CZS — vaqt doimiysi.
Kirish qarshiligi
U sh b u fo rm u la g a m u v o fiq z a tv o r to k i Iz —> 0 va y a rim
izolatsiyalovchi asosning sizilish toki ISIZ= 10_I0A b o ‘lganda xona
tem peraturasida kirish qarshiligi ~ 250 M O m ni tashkil etadi.
K uchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsientining m oduli birga
ten g b o ‘lganda, tashqi y u k lam a sig‘im CYu b o ‘lm asa, chegaraviy
chastota
qiym atga yetishi m um kin, bu yerda: ju(, = SRj — statik kuchaytirish
koeffitsienti.
Agar, >10 bo‘lsa, chegaraviy chastota 300 G G sdan katta b o ‘ladi.
Chastota va quwat bo‘yicha cheklanishlar. M Y — tranzistorlarning
chegaraviy ch asto tasi u n in g g e o m e trik o ‘lch am lari va m ateria l
param etrlari bilan aniqlanadi. K rem niy va arsenid galliyda elektronlar
kovaklarga nisbatan kattaroq harakatchanlikka ega b o ‘lgani uchun,
0 ‘Y CH — sxem alarda faqat w-kanalli M T lardan foydaniladi. B undan
tashqari, elektronlam ing G aA s dagi harakatchanligi krem niy Si dagi
elektronlar harakatchanligiga nisbatan katta b o lg an i sababli, G aA s
asosidagi tran zisto rlard a, chegaraviy ch asto ta krem niyli sh u n d ay
elektron asboblarnikiga qaraganda, besh m arta yuqori b o ‘ladi.
M Tning eng m uhim geom etrik param etri b o ‘lib, zatvor uzunligi