‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Pardalar hosil qilish. Pardalar IS elem entlarini elektr jih atd an
ulash ham da rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elem entlar
orasidagi izolatsiyani am alga oshirish uchun qoMlaniladi.
P ard ala r vakuum da term ik b ug‘latish, m aterialni io n lar bilan
bom bardim on qilib uchirish yoki gaz fazadan, suvli eritm adan kimyoviy
o ‘tkazish usullari bilan hosil qilinadi. H ar bir usulning afzalligi va
kam chiligi mavjud.
M isol tariqasida metallashnx — kristall yoki asos sirtida m etallwww.ziyouz.com
kutubxonasi
pardalar (sxem ada elem entlarning o ‘zaro ulanishi, kontakt yuzachalar,
passiv va aktiv elem entlar elektrodlari) hosil qilish jarayonini ko‘rib
chiqam iz. M etallash uchun oltin, nikel, kum ush, alum iniy va C r-A u,
Ti-A u va boshqalar ishlatiladi.
K rem niy asosidagi IM Slarda m etallashni am alga oshirish uchun
asosan alum iniydan foydalaniladi. N arxi qim m at b o ‘lm agan holda,
k o ‘rsa tib o 'tilg a n m e ta lla r k ab i, u p — k re m n iy b ila n o m ik
(to ‘g ‘rilam aydigan) kontakt hosil qiladi, kichik solishtirm a qarshilikka
ega va katta tokka chidaydi. A lum iniy vakuum da term ik bug‘latish
usuli bilan sirtga o ‘tkaziladi. n — turli soha bilan om ik kontakt hosil
qilish uchun undagi donorlar konsentratsiyasi 1020 sm~3 atrofida bo'lishi
kerak. B undan yuqori konsentratsiyaga ega b o ‘lgan soha n+ deb
belgilanadi. M etallash jarayoni yarim o'tkazgich plastina hajm ida sxema
elem entlari hosil qilingandan so‘ng am alga oshiriladi. Birinchi navbatda
plastina sirtida S i0 2 qatlam hosil qilinadi. S hundan keyin krem niy
bilan kontaktlar hosil qilinishi kerak b o ‘lgan joylarda, fotolitografiya
usuli b ilan , S i 0 2 p ard a q atlam id a “ d a r c h a ” la r o ch ilad i. S o ‘ng
vakuum da term ik bug‘latish usuli bilan plastina sirtida qalinligi 1
m km atro fid a b o ‘lgan alu m in iy q atlam hosil q ilin a d i. K o n tak t
yuzachalari va elektr jih atd an birlashtiruvchi o ‘tkazgichlarning zaruriy
shakli fotolitografiya usuli bilan hosil qilinadi. A lum iniy qatlam ining
ishlatilm aydigan sohalari yem irish usuli bilan olib tashlanadi, so'ngra
alum iniy bilan krem niy orasida kontakt hosil qilish uchun plastinaga
te r m ik is h lo v b e r ila d i. H o z irg i v a q td a m e ta lla s h d a e le k tr
o ‘tk a z u v c h a n lig i a lu m in iy g a n isb a ta n k a tta b o ‘lgan m is h am
q o'llanilm oqda.