Замонавий таълим / современное образование 2016, 11 Содиқова Ш. М., Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети «Умумий физика»

2-расм. Кучли легирланган p-n ўтишли 
яримўтказгичларнинг энергетик соҳалари ва квант 
нурланиш схемаси.
а) Электр майдони таъсири бўлмаганда соҳаларнинг 
силжиши кузатилмайди.
б) Электр майдони таъсирида соҳаларнинг p-тип 
томонга силжиши.
в) Рекомбинация вақтида ёпиладиган қатламдан 
квант нурланиши.
24
КАСБИЙ ТАЪЛИМ / ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАНИЕ

---

ЗАМОНАВИЙ ТАЪЛИМ / СОВРЕМЕННОЕ ОБРАЗОВАНИЕ 2016, 11
ҳосил қилади. Яримўтказгич лазерларнинг 
фаол моддалари: GaAs, InAs, InSb, PbSe
1
.
Бу фаол моддалар резонаторга жойланса, 
лазер нурларини чиқаради. Яримўтказгич ла-
зерида оптик резонатор вазифасини ярим-
ўтказгичли кристаллнинг ён томонлари бажа-
ради. Кристаллнинг қарама-қарши силлиқлан-
ган томони кўзгу вазифасини бажаради, чунки 
яримўтказгичли кристалларнинг синдириш 
кўр саткичи (n=3,5) жуда катта қийматга эга, 
яримўтказгич ва ҳаво чегарасидан 30-35 фоиз 
ёруғлик қайтади.
Арсенид-галлий лазерининг тўлқин узунли-
ги λ=0,84 мкм. 77°К температурада фойдали 
иш коэффициенти 70–80 фоизни ташкил қи-
лади. 3-расмда яримўтказгич лазерини дам-
лаш, нурланиш энергетик сатҳлари ва лазер-
нинг тузилиши схематик равишда келтирил-
ган.
GaAs лазери генерациясининг қуйи чегара-
си 77°К температурада (2–3)×10
2
А/см
2
ни таш-
кил этади. Импульсли режимда электр токи 
0,5–1 микросекунд давомида инверс бандлик 
ҳосил қилади, унинг қуввати 100 Вт га яқин. 
Узлуксиз режимда эса қуввати бир неча ват-
тни ташкил этади. Аслида яримўтказгич лазер-
лари энг самарали лазер бўлиши билан бирга 
1
Тарасов Л.В. Лазеры: действительность и надежды. – 
М.: «Наука», 1985. –С. 75.
генерацияси кенг спектрал оралиқни (λ=0,3 
мкм дан то 30 мкм) эгаллайди. Дамлаш токи-
нинг GaAs лазери генерациясининг қуйи чега-
расидан анча юқори қийматида нурланиш 
спектри 3,5 см
–1
кенгликка эга. Иккита бўйлама 
моддаларнинг спектрал оралиғи қуйидаги 
фор мула ёрдамида аниқланади:
,
n - синдириш кўрсаткичи, λ - тўлқин узун-
лиги, 







dn
d
– синдириш кўрсаткичининг
дисперцияси, L - резонатор кўзгулари ораси-
даги масофа (яримўтказгич кристаллининг 
қалинлиги). Ga(As
1-х
P
x
) лазери бошқа ярим-
ўтказгич лазерларига нисбатан анча кенг 
спектрал оралиқда генерация (0,84 мкм дан то 
0,64 мкм гача) ҳосил қилади. Тоза GaAs (х=0) да 
генерация λ=0,84 мкм, агар модданинг тарки-
би ўзгартирилса (х=0,4), генерация частотаси 
ҳам ўзгаради ва нурланиш спектрининг тўлқин 
узунлиги 0,64 мкм ни ташкил этади. Ярим-
ўтказгичнинг температурасини ўзгартириш 
йўли билан ҳам, ташқи босим остида (механик 
куч таъсирида) ҳам генерация частотасини 
ўзгартириш имконияти мавжуддир. Шундай 
қилиб, яримўтказгичларнинг таркиби, темпе-
ратурасини ўзгартириб ва босим таъсирида 
генерация частотасини (тўлқин узунлигини) 
узлуксиз ўзгартириш мумкин. Шу сабабли 
яримўтказгич лазери оптоэлектроникада, ла-
зер принтерида ва спектроскопияда кенг 
кўламда қўлланилмоқда
2
.