“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Tayanch so’zlar:
Ionli legirlash, tezlatgichlar, ion manbasi, so’rib oluvchi elektrod, tezlashtiruvchi elektrod, fokuslovchi elektrod, separator, skanlash qurilmasi, gazsimon moddalar, Penning razryadli manbasi, duaplazmatron plazma generatori, atomlarning sirtiy ionlashishiga asoslangan manba, intensiv ionlar dastasi, katod, anod, ishqoriy va ishqoriy-er metallar, namunalarni tozalash, yuqori temperaturali qizdirish, ionli ishlov berish, issiqlik nurlanishi, kislorod manbasi.


Savollar

1. 
   Ionli legirlash qurilmasining umumiy tuzilishi. Kichik, o’rta va yuqori energiyali legirlash.
   
2. 
   Ion to’pining tuzilishi, elementlari, ishlash printsipi.
   
3. 
   Ionlar dastasining yuza bo’yicha yoyish (skanlash).
   
4. 
   Ionli legirlash jarayonida amalga oshiriladigan qo’shimcha texnologik ishlov berish usullari.
   
5. 
   Namunalarni tozalash jarayoni.
   
6. 
   Ishqoriy va ishqoriy-yer elementlarining atomlarini changlantirish jarayoni.
   
7. 
   Sirtga kislorodli ishlov berish jarayoni.
   
8. 
   Tajribalar o’tkazish paytida qanday texnologik jarayonlar amalga oshiriladi?
   

Adabiyotlar:

1. 
   64-80 betlar
   
2. 
   59-62 betlar
   

12-ma’ruza


Reja

1. 
   Metalloorganik birikmalar asosida gaz fazali epitaksiya usuli.
   
2. 
   GFE usuli bilan olingan ayrim yarim o’tkazgichli birikmalarni hosil qilish reaktsiyalarining formulalari.
   
3. 
   GFE usuli bilan kerakli birikmadagi yarim o’tkazgichlarni olish uchun asos va element moddaning mutanosibligi jadvali.
   

METALLOORGANIK BIRIKMALAR ASOSIDA GAZ FAZALI EPITAKSIYa USULI.
Bu usul avvaliga Si va Ge larning epitaksial plyonkalarini hosil qilish uchun ishlatilgan, ammo asosan A^IIIB^V tidagi birikmalarni va ularning boshqa atomlar bilan birikib, 3-4 komponentli plyonkalarni hosil qilishda ishlatiladi. Quyidagi jadvalda A^IIIB^V misolida GaAs, InP va ularning qattiq fazali

ko’p komponentli birikmalarini olish uchun ishlatiladigan materiallar keltirilgan.

Jadvaldan ko’rinadiki, A^IIIB^V hosil qilishda uning metall komponentasini olishda organik birikmalar (tarkibida uglerod bo’lgan birikmalar, masalan: Ga(CH₃)₃, En(C₂H₅)₃ , Al(CH₃)₃ ...) muhim ahamiyatga ega. Masalan, GaAs, InP, AlAs yarimo’tkazgichli birikmalarni hosil qilish uchun quyidagi reaktsiyalardan foydalanamiz:
Ga(CH₃)₃+AsH₃=GaAs+3CH₄
In(C₂H₅)₃+PH₃ = InP+3C₂H₆
Al(CH₃)₃+AlH₃ =AlAs+3CH₄
Bu uchala reaktsiyada ham ikki komponentli sistema hosil qilingan, bunda metalloorganik birikmaning yoki metaloid-vodorod birikmaning qay biri ko’p, qay biri ozligi katta ahamiyatga ega bo’lmasligi mumkin.

O’stiriluvchi yarimo’tkazgich	Kerakli materiallar	Asos (podlojka)
	III guruh elementlari	V guruh elementlari
GaAs GaAlAs GaInAs GaInAsP InP	Ga(CH3)3 Ga(CH3)3 , Al(CH3)3 Ga(C2H5)3, In(C2H5)3 Ga(C2H5)3, In(C2H5)3 In(C2H5)3	AsH3 AsH3 AsH3 AsH3 , PH3 PH3	GaAs GaAs InP InP InP

Ammo, 3 yoki 4 va undan ortiq komponentli birikmalar hosil qilishda yuzaga kelib reaktsiyaga kirishayotgan moddalarning miqdori hosil bo’layotgan birikmaning tarkibiga ulardagi

kontsentratsion nisbatlarga juda katta ta’sir qiladi.

Quyida 3 va 4 kopmponentli sistemalar hosil bo’lish reaktsiyalarining sxematik ko’rinishi ko’rsatilgan.
(1-x)Ga(CH₃)₃+xAl(CH₃)₃+ASH₃ -- Ga_1-xAl_xAs
(1-x)Ga(C₂H₅)₃+xIn(C₂H₅)₃+yPH₃+(1-y)AsH₃ -- Ga_1-xIn_xAs_1-yP_y