“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Miqdoriy analiz.
OESni amaliy qo’llashda ko’pgina hollarda yarim miqdoriy analiz bilan chegaralanish mumkin. Ammo yangi texnologiyani amalga oshirishda, hamda yangi hosil qilinayotgan materialarning kimyoviy tarkibini o’rganishni yuqori aniqlikdagi miqdoriy ma’lumotlar zarur bo’ladi. Miqdoriy analiz qilishda tekshirilayotgan elementning oje-elektronlar toki bilan uning kontsentratsiyasi orasidagi bog’lanishni aniqlash zarur bo’ladi. Oje-elektronning toki sifatida oje-pikning amplitudasi (intensivligi) yoki pik osti yuzasi olinishi mumkin. Bu bog’liqlikni biror g elementning WXY oje-jarayoni uchun quyidagi soddalashtirilgan ko’rinishda yozish mumkin:
I_g(wxy)=I₁TN_gg_g(wxy)s_g(E₁,E_w)l(1+R_B) (17.1)
Bu erda R_B - elektronlarning orqaga qaytish koeffitsienti, I₁ - birlamchi elektronlarning toki, T - analizatorning o’tkazish qobiliyati, N_g - g-elementning atom zichligi, g_g (wxy) - wxy-oje-o’tishning ehtimolligi, l - oje-elektronlarning chiqish chuqurligi, E₁- birlamchi elektronlarning energiyasi, s_g (E₁, E_w) - ichki W sathning ionlashish ko’ndalang kesimi.
Biz miqdoriy analizning ikki xil usulini qisqacha ko’rib o’tamiz.
a) Tashqi etalonlar usuli
Bu usulda tekshirilayotgan jismning oje-spektrlari tarkibida aniq miqdorli bizni qiziqtirayotgan element atomlari bo’lgan etalon namunaning oje-spektrlari bilan taqqoslanadi. g elementning etalondagi N_g^e kontsentratsiyasi ma’lum bo’lsa uning tekshirilayotgan jismdagi noma’lum N_g kontsentratsiyasini quyidagi formuladan topish mumkin:
(17.2)
Bu usulning asosiy afzalligi shundaki, bunda ionizatsiya ko’ndalang kesimi va oje-elektronlarning chiqish ehtimolligini bilish shart emas. Bundan tashqari etalon va tekshirilayotgan jismning tarkiblari katta farq qilmasa l^e »l^T va R_V^E » R_V^T deb olish mumkin. Bu holda kontsentratsiyani faqatgina oje-piklarning intensivliklari orqali aniqlash mumkin bo’ladi.
Ammo kerakli etalonlarga har doim ega bo’lish juda qiyin. Shuning uchun bu usul kam qo’llaniladi.