Ярим ўтказгичли диодлар. Туннель диодлари

УБ схемадаги транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи бўлиб I_Э =const бўлгандаги I_К= f (U_КБ) боғлиқлик, УЭ схемада эса I_Б =const бўлгандаги I_К= f (U_КЭ) боғлиқлик ҳисобланади.
Чиқиш характеристикалари кўринишига кўра тескари уланган диод ВАХ сига ўхшайди, чунки коллектор ўтиш тескари уланган. Характеристикаларни қуришда коллектор ўтишнинг тескари кучланишини ўнгда ўрнатиш қабул қилинган (5 – расм).



а) б)
5 – расм.


5 а - расмдан кўриниб турибдики, УБ схемадаги чиқиш характерис-тикалари икки квадрантларда жойлашган: биринчи квадрантдаги ВАХ актив иш режимига, иккинчи квадрантдагиси эса – тўйиниш иш режимига мос келади. Актив режимда чиқиш токи (4) нисбат билан аниқланади. Актив режимга мос келувчи характеристика соҳалари абсцисса ўқига унча катта бўлмаган қияликда, деярли параллель ўтадилар. Қиялик юқорида айтиб ўтилган Эрли эффекти билан тушунтирилади. I_Э=0 бўлганда (эмиттер занжири узилганда) чиқиш характеристикаси тескари силжиган коллектор ўтиш характеристикаси кўринишида бўлади. Эмиттер ўтиш тўғри йўналишда уланганда инжекция токи ҳосил бўлади ва чиқиш характеристиклари катталикка чапга силжийди ва х.з.
УЭ схемасида уланган транзисторнинг чиқиш характеристикаси УБ схемада уланган транзисторнинг чиқиш характеристикасига нисбатан катта қияликка эга. Чунки унинг кўринишига Эрли эффекти катта таъсир кўрсатади. Боғлиқликларнинг умумий характери (5 б-расм) коллектор ва база токлари орасидаги қуйидаги боғлиқлик билан аниқланади:


, (9)


бу ерда I_КЭ0 – I_Б=0 (узилган база) бўлгандаги коллекторнинг тўғри токи. I_КЭ0 токи I_К0 токидан мартага катта бўлади, чунки U_БЭ=0 бўлганда U_КЭ кучланишининг бир қисми эмиттер ўтишга қўйилган бўлади ва уни тўғри йўналишда силжитади. Шундай қилиб, I_КЭ0=( )I_К0 – анча катта ток бўлиб, транзистор ишининг бузилишини олдини олиш мақсадида база занжирини узиш керак.
База токи ортиши билан коллектор токи катталикка ортади ва х.з., ва характеристика юқорига силжийди. УЭ схемадаги чиқиш ВАХларининг асосий хоссаси шундаки, ҳам актив ва ҳам тўйиниш режимларида бир квадрантда жойлашади. Яъни, электродларнинг берилган кучланиш ишораларида ҳам актив режим, ҳам тўйиниш режимида бўлиши мумкин. Режимлар алмашиниши коллектор ўтишдаги кучланишлар нольга тенг бўлганда содир бўлади. Коллектор соҳа қаршилигини ҳисобга олмаган ҳолда U_КЭ = U_КБ + U_БЭ бўлгани учун, талаб қилинаётган бўсағавий кучланиш қиймати U^*_КЭ = U_БЭ бўлади. U_БЭ қиймати берилган база токида кириш характеристикасидан аниқланади.
МАЙДОНИЙ ТРАНЗИСТОРЛАР


1. Умумий маълумотлар


Майдоний транзистор (МТ) деб, ток кучи қийматини бошқариш yчун ўтказувчи каналдаги электр ўтказувчанлигикни ўзгартириш ҳисобига электр майдон ўзгариши билан бошқариладиган ярим ўтказгичли актив асбобга айтилади.
Майдоний транзисторлар турли электр сигналлар ва қувватни кучайтириш учун мўлжалланган. Майдоний транзисторларда биполяр транзисторлардан фарқли равишда ток ташкил бўлишида фақат бир турдаги заряд ташувчилар иштирок этади: ёки электронлар, ёки коваклар. Шунинг учун улар яна униполяр транзисторлар деб ҳам аталади.
Майдоний транзисторларнинг тузилиши ва канал ўтказувчанлигига кўра икки тури мавжуд: р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор ҳамда металл – диэлектрик – ярим ўтказгичли (МДЯ) тузилишга эга бўлган затвори изоляцияланган майдоний транзисторлар. Улар МДЯ- транзисторлар деб ҳам аталадилар.
Р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор. 1 – расмда n–каналли р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторнинг тузилишининг қирқими (а) ва унинг шартли белгиси (б) келтирилган.