2 — rejim — generator kuchlanishi, rostlanadigan kuchlanishdan
katta.
VD1 stabilitrondagi k u c h lan ish n in g o ‘sishi hisobiga u ochilad i va
R4, R3, VT1 tra n z isto r n in g b a z a - e m itte r va VD1 stab ilitro n orqali
kirish tran z isto rin i b o sh q aru v ch i tok o ‘ta boshlaydi. VT1 tranzistori
ochiladi, b in o b a rin , VT3 tranzistori h a m ochiladi, c h u n k i un in g baza
toki o c h iq turg an VT1 tranzistori orqali o ‘tadi, y a ’ni t o bg ‘rilagichning
«К» qutbi - S k o n ta k tla r - rostlagichning «К» qisqichi - e m itte r VTZ
tran z isto r bazasi — R7 rezistor -VT1 tra n z istorining kollektor — em itteri
- VD1 stabilitron - massa.
O c h iq turgan V T Z tran z isto r o ‘zining e m itte r-k o lle k to r o ‘tishi orqali
tarkibiy VT4 - VT5 tran z isto rn in g e m itte r - b az a o ‘tishini zanjirga
ulaydi va VT4 - VT5 tra n z isto r yopiladi. VT4, VT5 chiqish tranzis-
torlarin in g yopiq holati uyg‘otish tokin in g uzib q o ‘yilishiga, b in o b arin ,
g e n e r a t o r k u c h la n is h in in g k a m a y is h ig a olib keladi. U n i n g q iy m a ti
rostlanadigan kuchlanish q iy m atida n kamayishi bilanoq, VD1 stabilitron
tok o ‘tk azm aydigan holatga o ‘tadi, n atijada VT1 va V T Z tranzistorlari
yopiladi, VT4, VT5 tran z isto rla r esa ochiladi.
O q ib a td a g e n e ra to r kuch lan ish i y a n a o rtad i, y a ’ni ush b u ja ra y o n
d a v riy ra v ish d a q a y ta r ila d i. K o n t a k t s i z - t r a n z i s t o r l i 2 0 1 .3 7 0 2 re le -
rostlagichining konstruksiyasi unin g o ld in ro q ishlab ch iqarilgan R R —
350 rostlagichi bilan o ‘zaro a lm ashuvc hanligini t a ’minlaydi.
9 . 5 . 4 . In te g ra l re le - r o s t la g i c h i
E le k tr o n ik a va e le k tr o n tiz im la r n i ta y y o rla sh te x n o lo g iy a s in in g
taraqqiy etishi kontaktsiz rele-rostlagichni generatorni o ‘ziga o lmatilishini
t a ’m inlaydigan darajadagi kichik o l c h a m l a r d a yaratilishiga im koniyat
yaratadi. B u n d a y rostlagichlarga n o m in a l k u c h la n ish la ri 14 va 28V
b o ‘lgan g e n e ra to rla r u c h u n m o s ravishda tay yorlangan YA112A (9.19-
rasm ) va YA120 rele-rostlagichlari kiradi. Integral rostlagichning vazni
50 g, tashqi o i c h a m l a r i esa 38x58x12 m m .
Y o n d iris h u z g ic h in in g k o n ta k tla ri tu ta s h is h i bilan (9 .1 9 - rasm )
g e n e ra to r qurilm asi batareya k uchlanishiga ulanadi. Bu h o la td a VT1
t r a n z i s t o r i y o p i q , V T 2 v a V T Z t r a n z i s t o r l a r i e sa o c h i q b o ‘ladi.
G e n e r a t o r n i n g uy g ‘o tish tok i (9 .1 9 - ra sm d a g i y o ‘n a lis h g a q a r a n g )
quyidagi zanjir b o ‘ylab o ‘tadi: b a tarey an in g «К ,» qutbi —5 uzgich va V
h a m d a V ’ q isq ich lar - u y g ‘otish c h u lg ‘am i - « S h » qisqichi - V T Z
tranzistori — «massa».
G e n e r a t o r k uchlanishini rostlash uyg‘otish c h u lg ‘am idagi to k n in g
o ‘rta c h a q iy m a tin i o ‘zgarishi hisobiga a m a lg a o sh irilad i. U y g ‘otish
c h u lg ‘am idagi tok V T Z chiqish tran z isto rin in g kalitli rejimi (o c h iq -
262
—r -
Л
tn
m
©
£ S S »
a
a
—
— -
v
a)
b)
9.19- rasm.
Do'stlaringiz bilan baham: |