Tranzistorlar

4-rasm. Diffusion – planar transistor tuzilmasining
umumiy ko’rinishi 
 
Mezaplaner tranzistorlar. 
Tranzistorlarning aktiv qismini meza-tuzilma 
ko‟rinishda yaratish uchun emitter va baza ma‟lum qismlarini ikkilama yedirish 
bilan olinadi 5-rasm. Bu tranzistorlarni bitta yarimo‟tkazgich plastinkada bir 
texnologik siklda ko‟plab miqdorda tayyorlash mumkin. Shuning uchun 
parametrlardagi farqlar kam. 

---

5-rasm. Mezaplanar transistor tuzilishi 
Meza planer tranzistorlardagi o‟tishlar kichik sig‟imga va uncha katta 
bo‟lmagan baza qarshiligiga ega. Bu tranzistorlarning chegara takroriyligi bir 
qancha yuz megagersga boradi. 
MDYa tranzistorlar.
Bunday tranzistorlarnini olish uchun n- yeurdagi 
kremniy sirtiga qalin SiO2 o„stiriladi.,
keyin alohida qismlardan oksid ketkazilib, 
o„rniga yana yupqa SiO
2
qatlam o„stiriladi. (6,a-rasm). Shu yupqa SiO
2
sirtiga 
polikristall kremniy parda o„tkaziladi va fotolitografiya olib boriladi (6,b-rasm).
Keyin paynoy va manba sohalari ustidagi oksid yedirilib, tirqishlar hosil qilinadi. 
Keyingi bosqichda manba va paynov sohalar diffuziya usulida legirlanadi (6,v-
rasm). Yuqori temperaturda o„tkazilgan natijasida manba va paynov sirti 
oksidlanib qoladi. Shuning uchun oxirgi amalda oksid qatlam yedirilib, (6,g-rasm) 
metall elektronlar o„tkaziladi. Zatvor sifatida polikristall kremniyning qo„llanilishi 
chegara kuchlanishini 0,5-,0V gacha kamaytiradi. Bu esa IMS larda katta afzallikni 
keltiradi. 
 
 
6-rasm.
MDYa tranzistorning olinish texnologiyasi: 1-SiO
2
-
qatlam; 2-polikremniy; 3-legirlangan paynov va manba soxalar. 
 

---