Tranzistorlar

Epitaksil- planer
tranzistorlarda kollektor ikki qatlam yuqoriligi
bazaga tutashuvchi va 
kichikomli 
kontaktiga 
tutashuvchi 
bo‟ladi. 
Tranzistorlarda kichikkomli elektromli epitaksial qatlam o‟stirish bilan olinadi.
Kichik omli taglik n
Q 
kollektor sohasini hosil qiladi. Baza va emitter 
sohalar SiO
2
larda tirqish orqali ikkilanma diffuzia usulida tayyorlanadi.Natijada 
n
Q 
-p-n-n
Q 
hajmiy qarshiligi kichik epitaksil kollektor sohasining kichik “C” 
sig‟imi va kollektor o‟tishi darajada yuqori teshilish kuchlanishga ega bo‟lgan 
dreyf transistor olinadi 7-rasm. 
7-rasm. Epitaksial planar transistor tuzilishi
Hozirgi vaqtda ishlab chiqarishda asosan qo‟sh qutbli tranzistorlarni meza-
planar 
va 
epitaksial-planar 
texnologik 
usullardan 
foydalanilmoqda. 
Mikroelektronikada transistor tuzilmalarini olishning oxirgi texnologiyasi keng 
qo‟llanilmoqda. 
Har qanday yarimo‟tkazgichli asbobni tayyorlashda yarimo‟tkazgich 
materialning parametrlarga talab qo‟ygan holda amalga oshiriladi.
Undan so‟ng asbobni qo‟llanish talabga ko‟ra tranzistorni tayyorlashda 
operatsiyalar ketma-ketligi asosida tayyorlanadi.

---

XULOSA 
Ushbu ish qosh qutbli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasiga 
bag‟ishlangan bo‟lib, o‟rganish natijasida quyidagilarni xulosa qilaman: 
1.
Tranzistorlar tayyorlaydigan yarimo‟tkazgichli materiallarni 
turlari va elektr xususiyatlari o‟rganildi.Tranzistorlar kremniy, germaniy va 
arseniz galliydan tayyorlanishi aniqlandi. 
2.
Yarimo‟tkazgichli asboblar tayyorlash uchun monokristallardan 
foydalanishi e‟tiborga olinib, materiallar olish texnologiyasi o‟rganildi. 
3.
Yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari 
o‟rganildi va tranzistorlar uchun qaysi material, hamda kremniyli n-p-n- 
strukturali tranzistor yaxshi effect berish mumkinligi ko‟rsatildi. 
4.
Elektron-kovak o‟tish olish texnologiyasini batafsil yoritildi. 
5.
Tranzistorlarni qotishmali, diffuzion, epitaksial va planar 
texnologiyasiga asosan olinishi ko‟rsatildi. Planar epiltaksial texnologiya 
sifatli tranzistorlar yaratishga olib kelish mumkinligi ko‟rsatildi.