Tranzistorlar

4-rasm. Diffusion – planar transistor tuzilmasining  

umumiy ko’rinishi 

 

Mezaplaner  tranzistorlar. 

Tranzistorlarning  aktiv  qismini  meza-tuzilma 

ko‟rinishda  yaratish  uchun  emitter  va  baza  ma‟lum  qismlarini  ikkilama    yedirish 

bilan  olinadi  5-rasm.  Bu  tranzistorlarni  bitta  yarimo‟tkazgich  plastinkada  bir 

texnologik  siklda  ko‟plab  miqdorda  tayyorlash  mumkin.  Shuning  uchun 

parametrlardagi farqlar kam. 

 

---

5-rasm. Mezaplanar transistor tuzilishi 

 

Meza  planer  tranzistorlardagi  o‟tishlar  kichik  sig‟imga  va  uncha  katta 

bo‟lmagan  baza  qarshiligiga  ega.  Bu  tranzistorlarning  chegara  takroriyligi  bir 

qancha yuz megagersga boradi. 

MDYa  tranzistorlar.

  Bunday  tranzistorlarnini  olish  uchun  n-  yeurdagi 

kremniy sirtiga qalin SiO2 o„stiriladi.,

 

keyin  alohida  qismlardan  oksid  ketkazilib, 

o„rniga  yana  yupqa  SiO

2

  qatlam  o„stiriladi.  (6,a-rasm).  Shu  yupqa  SiO

2

  sirtiga 

polikristall  kremniy  parda  o„tkaziladi  va  fotolitografiya  olib  boriladi  (6,b-rasm).   

Keyin  paynoy  va  manba  sohalari ustidagi  oksid  yedirilib, tirqishlar hosil  qilinadi. 

Keyingi  bosqichda  manba  va  paynov  sohalar  diffuziya  usulida  legirlanadi  (6,v-

rasm).  Yuqori  temperaturda  o„tkazilgan  natijasida  manba  va  paynov  sirti 

oksidlanib qoladi. Shuning uchun oxirgi amalda oksid qatlam yedirilib, (6,g-rasm) 

metall elektronlar o„tkaziladi. Zatvor sifatida polikristall kremniyning qo„llanilishi 

chegara kuchlanishini 0,5-,0V gacha kamaytiradi. Bu esa IMS larda katta afzallikni 

keltiradi.