Texnologiyalari universituti qarshi

Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) белгиланиш тизими.



Imslar 6ta elementdan iborat bo'lgan belgilanish tizimi yordamida klassifikasiyalanadi: Birinchi element (K – harfi) – IMS keng ko'lamda qo'llanilish uchun mo'ljallanganligini bildiradi. Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A - plastmassali planar, E- metall- polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan, I- shishakeramikli planar, B- qobiqsiz). Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv- texnologik turini bildiradi (1,5,6,7- yarimo'tkazgichli, 2,4,8- gibrid, 3- boshqa: pardali, keramik, vakuumli). To'rtinchi element (ikkita yoki uchta
son) – IMS seriyasining tartib raqamini bildiradi. Ikkita son birlalikda- aniq seriya raqamini bildiradi. Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funktsional vazifasini bildiradi. Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini bildiradi.

9.
Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) актив ва пассив элементлари.



Yarim o'tkazgich IMS ning faol va passiv elementlari bipolyar tranzistor tuzilishi asosida amalga oshirilishi mumkin. Emitter e, kollektor K va b ma'lumotlar bazasining xulosalari boshqa elementlarning xulosalari bilan bir xil tekislikda yotadi. Ushbu dizayn planar deb ataladi. Planar strukturada kollektor oqimining uzunligi oshadi va shuning uchun bu oqimning qarshiligi tranzistorning bir qator parametrlariga salbiy ta'sir ko'rsatadi.
Kollektor maydonining qarshiligini kamaytirish uchun u n + - tipli past yashirin qatlamni yaratadi.

10.
Интеграл микросхемаларнинг (рақамли) асосий параметрлари.



Рақамли техника ҳозирги кунда ҳисоблаш техникасининг асосини ташкил қилиб қуйидаги йўналишларда кенг қўлланилмоқда:



транзисторнинг яратилиши туртки бўлди. Бизга маълум бўлган мантиқий функция ва амалларни ҳосил қилишда транзисторлардан фойдаланиш имконияти мавжудлиги рақамли техниканинг шу даражада жадал ривожланишига олиб келди

• 
  Рақамли қурилмалар деб, мантиқий алгебра функцияларини амалга ошириш учун ишлатиладиган қурилмаларга айтилади.
  
• 
  Рақамли қурилмалар кодли сўзларни киритиш ва чиқариш усулига қараб кетма- кет, параллел ва аралаш турларга бўлинади.
  
• 
  Кетма- кет рақамли қурилма киришига кодли сўз белгилари бир вақтда берилмайди.
  

11. ИМСлар яратишнинг технологик жараёни.

Интеграл микросхема (ИМС) кўп сонли транзистор, диод, конденсатор, резистор ва уларни бир – бирига уловчи ўтказгичларни ягона конструкцияга бирлаштиришни (конструктив интеграция); схемада мураккаб ахборот ўзгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); ягона технологик циклда, бир вақтнинг ўзида схеманинг электрорадио элементлари (ЭРЭ) ҳосил қилинишини, уланишлар амалга оширилишини ва бир вақтда гуруҳ усули билан кўп сонли бир хил интеграл микросхемалар ҳосил қилиш (технологик интеграция) ни акс эттиради. ИМС, ягона технологик циклда, ягона асосда тайёрланган ва ахборот ўзгартиришда маълум функцияни бажарувчи ўзаро электр жиҳатдан уланган ЭРЭлар мажмуасидир

12.
Ярим ўтказгичли ИМС, тузилмаси.



Ярим ўтказгичли IMS- bu elementlar yarimo'tkazgich substratining yer osti qatlamida ishlab chiqarilgan chip (shakl. 5). Ushbu IMS zamonaviy mikroelektronikaning asosini tashkil etadi.



12.
Ярим ўтказгичли ИМС яратилишининг технологик жараёни.



Issiqlik oksidlanishi yarimo'tkazgich asboblarini ishlab chiqarishda ma'lum bo'lgan standart texnologik jarayonlardan farq qilmaydi. Silikon yarimo'tkazgich chiplari texnologiyasida oksidli qatlamlar keyingi texnologik jarayonlarda yarimo'tkazgich kristalining (elementlarning, chiplarning) alohida qismlarini izolyatsiya qilishga xizmat qiladi. Yarim Supero'tkazuvchilar integral mikrosxemalar ishlab chiqarishda eng ko'p tomonlama texnologik jarayon optik litografiya yoki fotolitografiya hisoblanadi. Fotolitografiya jarayonining mohiyati fotosensitiv qoplamalarda (fotorezistlar) yuz beradigan fotokimyoviy hodisalardan foydalanishga asoslangan.



12.