Texnologiyalari universiteti qarshi filiali ‐mustaqil ish fan nomi: Elektronika va sxemalar mavzu

TOSHKENT AXBOROT

TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI

7‐MUSTAQIL ISH

FAN NOMI: Elektronika va sxemalar 2

MAVZU: Raqamli IMS larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartlibelgilanishi
Murakkab invertorli va Shottki barerli TTM. Murakkab invertorli TTM ME sxemasi.
KMDYa, markalanishi va xarakteristikalari.

Guruh: KI 13/21-guruh

Bajardi: Yarashov Abror

Qabul qildi: Tuychiyev B.O

: Raqamli IMS larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi
Integralmikrosxema (IMS) ko‘psonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va ularni bir-biriga ulovchi o‘tkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlash tirishni (konstruktiv integratsiya); sxemada murakkab axborot o‘zgartirishlar bajarilishini (sxemotexnik integratsiya); yagonatexnologik siklda, birvaqtn in go‘zidasxemaning elektroradioelem entlari (E R E ) hosil qilinishini, ulanishlar amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli bir xil integral mikrosxemalar hosil qilish (texnologik integratsiya)ni aks ettiradi. IMS, yagona texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot o‘zgartirishda ma’lum funksiyani bajaruvchi o‘zaro elektr jihatdan ulangan E R E lar majmuasidir. IMS elektron asboblar qatoriga kiradi. Uning elektron asbob sifatidagi asosiy xususiyati shundaki, u mustaqil ravishda, masalan, axborotni eslab qolishi yoki signalni kuchaytiri. Diskret elementlar asosida shu funksiyalarni bajarish uchun tranzistorlar, rezistorlar va boshqa elementlardan iborat sxemani qolda yigish zarur. Elektron asbobning uskuna tarkibida ishlash ishonchliligi avalam bor kavsharlangan ulanishlar soni bilan aniqlanadi. IMSlarda elementlar bir-biri bilan metallash yo‘li bilan ulanadi, ya’ni kavsharlanmaydi ham , payvand ham qilinmaydi. Buning natijasida yig‘ish, montaj qilish ishlarining sifatini oshirish masalasi yechildi, katta miqdordagi ERElarga ega radioelektron qurilmalar ishlab chiqarishda ishonchlilik ta’minlandi. Hozirgi kunlarda tayorlash usuli va bunda hosil bo'ladigan tuzilmasiga ko‘ra IMS larni bir-biridan prinsipial farqlanuvchi uch turga ajratiladi: yarim o‘tkazgich, pardali va gibrid. IMSlarning har turi, mikrosxema tarkibiga kiruvchi elementlar va komponentlar sonini ifodalovchi, integratsiya darajasi va konstruksiyasi bilan farq qiladi.
Element deb , konstruksiyasi bo‘yicha kristali yoki asosidan ajralmaydigan, ERE funksiyasini bajaruvchi IMSning qismiga aytiladi. IMS komponenti deb , diskret element funksiyasini bajaruvchi, lekin montajdan awal mustaqil mahsulot bolgan IMSning bo‘lagiga aytiladi. Yig‘ish, montaj qilish operatsiyalarini bajarishda komponentlar

mikrosxema asosiga o‘rnatiladi. Qobiqsiz diod va tranzistorlar, k odensatorlarning maxsus turlari, kichik o‘lchamli induktivlik kutubxonasi g‘altaklari va boshqalar sodda komponentlarga , murakkab komponentlarga esa — bir nechta elementdan tashkil topgan, m asalan, diod yoki tranzistorlar yig'm alari kiradi. E lem entlari yarim o‘tkazgich asosning sirtiga yaqin qatlam da hosil qilingan mikrosxem alar yarim o‘tkazgich IM S deb ataladi. Elem entlari dielektrik asos sirtida parda ko‘rinishida hosil qilingan m ikrosxem alar pardali IMS deb ataladi. P ardalar turli m ateriallarni past bosim da yupqa qatlam sifatida o ‘tkazish yo‘li bilan hosil qilinadi. Parda hosil qilish usuli va u bilan bog‘liq parda qalinligiga m uvofiq IM Slarni yupqa pardali (qalinligi 1—2 m km ) va qalin pardali (qalinligi 10 m km dan yuqori) larga ajratiladi. A dabiyotlarda ko‘p hollarda IM S yozuv o ‘m iga IS deb yoziladi. H ozirgi kunda pardali diod va tran zisto rlarn in g p aram etrlari barqaror b‘lm agani sababli, pardali IM Slar faqat passiv elem entlarga (rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) ega. Pardali texnologiyada elem ent param etrlarining ruxsat etilgan tarqoqligi 1-^2 % dan oshm aydi. Passiv elem entlar param etrlari va ularning barqarorligi hal qiluvchi aham iyat kasb etganda bu ju d a m uhim bo‘ladi. S husabd an pardali IS lar ba’zi filtrlar, faza o‘zgarishiga sezgir va tanlovchi sxem alar, generatorlar va boshqalar tayyorlashda ishlatiladi. Gibrid IM S (yoki GIS) deb um um iy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elem entlar kom binatsiyasidan iborat m ikrosxem aga aytiladi. D iskret kom ponentlar osm a deyiladi. G ibrid IMSlar uchun aktiv elem entlar qobiqsiz yoki jajji m etall qobiqlarda tayyorlanadi. G IS larning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisbatan kichik davrida analog va raqam li m ikrosxem alarning keng sinfini yaratish im koniyatidan, keng nom enklaturali passiv elem entlar hosil qilish im koniyatidan (M D Y — asboblar, diodli va tranzistorli m atritsalar) va ishlab ch iq arila yotganmikrosxemalarda yaroq lilar oizining ko‘pligidan iborat. G IS lar aloqa apparatlarining qabul qilish. — uzatish tizim larida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, OlYCH qurilm alarda va boshqalarda qo'llaniladi. Ishlatilgan transistor turiga muvofiq yarim o 'tkazg ich integral m ikrosxem alar bipolyar va M D Y /M Slarga ajratiladi. H ozirgi kunda p — n o 'tish bilan boshqariladigan M T lar asosida yaratilgan IM S lar katta aham iyat kasb etm oqda. U shbu sinfga arsenid galliy asosida, zatvori Shottki diodi
ko‘rinishida b o ‘lgan M Tlar kiradi. S o‘nggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham m aydoniy tranzistorlar ishlatilgan IM Slar ham tayyorlanm oqda. IM Sning funksional m urakkabligi uning tarkibidagi elem ent va komponentlar soni ko‘rsatuvchi integratsiya arajasi bilan ifodalanadi. Integratsiya koeffitsienti so n jih atd an K =lgN tenglik bilan aniqlanadi, bu yerda: N — sxem a elem entlari va kom ponentlari O ddiy IM Slarga m isol sifatida m antiq elem entlarni ko‘rsatish m um kin. 0 ‘lSlarga jam lash qurilm asi, hisoblagichlar, operativ xotira qurilm alari (O X Q ), sig‘im i 256—1024 bit b o ‘lgan do im iy xotira qurilm alari (D X Q ) misol b o ‘la oladi. KISlarga m antiqiy — arifm etik va boshqaruvchi qurilm alar kiradi. 0 ‘KIS larga 1,9 m illiard M D Y — tran z isto rla rd a n tashkil to p g an , sig‘im i 294 M B b o ‘lgan xotira m ikrosxem alari misol bo‘la oladi. Kristaldagi elem entlar joylashuvining zichligi — birlik yuzaga to ‘g ‘ri keluvchi elem entlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi sifatining m uhim k o ‘rsatk ich i h iso b lan ad i. T exnologiya d arajasi m in im al texnologik o'lcham , ya’ni erishish m um kin bo‘lgan eng kichik o ‘lcham bilan ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o ‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi masofa bilan xarakterlanadi. IM S lar ishlab chiqarish texnologiyasini mukammallashtirish jarayonida minimal texnologik o‘tkazmaning yillar bo ‘yicha o‘zgarishi Xotira qurilmalarida elementlar joylashuv zichligi har ikki yilda ikki marta ortib borayotganini 1965-yilda Gordon Mur bashorat qilgan edi. ushbuni tasdiqlaydi. Funksional vazifasiga ko‘ra ISlar analog va raqamli Mxga bo‘linadi. Analog lSlarda signal uzluksiz funksiya sifatida o'zgaradi. Eng keng tarqalgan analog IS — operatsion kuchaytirgichdir. Raqamli ISlar diskret ko‘rinishda berilgan signallarni o ‘zgartirishga va qayta ishlashga xizmat qiladi.
Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari. B ugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab ch iqarilmoqda. Bunday mikrosxemalarga integral mikrosxemalar (IMS) deyiladi. Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ixcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji
G.Mur qonunigа
muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elemen
lar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 106÷10
9ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS)
IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi- IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqa joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi.
Texnologik belgisi
IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lan shlar yagona
texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral miros xemalar yuqori ishonchlilikka va kichik
tannarxga ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi
mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid.
Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradi gan element va komponentlar sonini
Ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi.


Element deb
biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondens ator va boshqalar)
funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi:
yarim o‘tkazgichli;

• 
  dielektrik.
  

Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida Si va GaAs keng qo‘llaniladi.
IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir
qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi.