технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями


Рис. 2.14. Люкс-вольтовые характеристики АФН-пленок-германия (1), кремния (2), арсенида гая (3) теллурида кадмия (4)



Download 3,08 Mb.
bet15/18
Sana31.03.2022
Hajmi3,08 Mb.
#520182
TuriЛитература
1   ...   10   11   12   13   14   15   16   17   18
Рис. 2.14. Люкс-вольтовые характеристики АФН-пленок-германия (1), кремния (2), арсенида гая (3) теллурида кадмия (4).

Рис. 2.15. Зависимость проводимости АФН-пленок германия (1), кремний (2), фосфида галлия (3), теллурида кадмия (4) от освещенности.

Рис. 2.16. Типичные зависимости фотонапряжения и сопротивления от освещенности АФН-пленок CdTe; 1- VАФН при фронтальном освещении; 2- VАФН при освещении через подложку; 3-R(B) при фрон тальном освещении; 4- VАФН одновременном освещении с фронта и тыла.
Изучена зависимость фотонапряжения от интенсивности возбуждающего света на пленках теллурида кадмия при освещении их через поддожку. Показано, что снимаемое фотонапряжение меньше, чем при фронтальном освещении, но кривая имеет такой же вид, как и при освещении с фронта.
Установлено, что при одновременном освещении пленки со стороны слоя и через подложку общее фотонапряжение меньше, чем при освещении только со стороны слоя, даже в тех случаях, когда полярность фотонапряжения при тыловом и фронтальном освещениях одинакова. Постоянная фронтальная подсветка приводит к тому, что кривая зависимости фотонапряжения от интенсивности света, падающего через подложку, привращается из монотонно возрастающей в монотонно убывающую (рис. 2.16).
Такой же характер влияния тыловой засветки на пленке селена. Результаты аналогичных исследований, проведенных на Si, Ge и GdAs, показали, что на АФН-пленках соблюдается аддитивность VАФН при фронтальном и тыловом освещениях.
§ 5. Температурные исследования фотонапряжения, тока короткого замыкания и сопротивления пленок /3, 4, 9, 22/
Для получения информации о величине фотонапряжения, тока короткого замыкания и сопротивления пленок во всем интервале промежуточных Т проведены температурные исследования. Люкс-вольтовые характеристики АФН-пленок Bi2Te3+Sb2Te3 показали, что величина фотонапряжения возрастает до нескольких тысяч вольт при переходе от комнатной температуры к азотной. С дальнейшим понижением температуры до 20°К существенно увеличивается фотонапряжение при малых интенсивностях света. (В области низкого уровня возбуждения (В=0,01Вт/см2) абсолютное значение фотокапряжения при 20°К превышает приблизительно в 4 раза величину при 77°К. При интенсивностях света, больших ~0,2 вт/сл2, величина фотонапряжения приближается к значению VАФН измеренному при азотных температурах, а в некоторых образцах даже становится меньшей. В табл. 2.1 приведены значения VАФН в интервале 300÷4°К для двух образцов. Сравнение этих данных показывают, что тенденция к спаду фотонапряжения продолжается и в области гелиевых температур



Т°,К

300

77

20

4

Номер пленки

V, B

0,8

2000

1800

1000

1

0,3

3500

3100

3000

17


Рис. 2.17. Температурные зависимости VАФН, Jк.з, R АФН-пленки PbS

Рис. 2.18. Температурные зависимости VАФН, Jк.з, R АФН-пленки Bi2Te3+Sb2Te3
Зависимости фотонапряжения, сопротивления и тока короткого замыкания АФН-пленок изучали в криостате при давлении 10-2 мм.рт.ст. Измерительная аппаратура позволяла определять параметры пленок до сопротивления 1014 Ом. Вольтамперные характеристики снимались на электрометре В-2-5 при помощи падающего излучения 10-2 вт/см2. Источником света служила лампа накаливания ОИ-24 с цветовой температурой 2900°К.
Результаты измерений VАФН (Т), Jк.з(Т) и R(Т) для пленок PbS, Bi2Te3+Sb2Te3, Bi2Te3+Bi2Se3 представлены на рис. 2.17-2.19. Ход температурных зависимостей фотонапряжения и сопротивления для АФН-пленок исследуемых веществ идентичен и имеет экспоненциальные участки. Следует заметить, что ток короткого замыкания практически не зависит от температуры.

Рис. 2.19. Температурные зависимости VАФН, Jк.з, R АФН-пленки Bi2Te3+ Bi2Se3

Рис. 2.20. Температурные зависимости АФН-пленок теллурида кадмия (а) арсенида галлия (б)
Энергия активации, вычисленная по наклонам экспоненциальных участков R (Т), составила для PbS≈0,1 эВ, Bi2Te3+Sb2Te3 и Bi2Te3+Bi2Se3≈0,4 эВ.
Экспериментальные результаты для одной из наших пленок CdTe, а также температурные зависимости параметров АФН-пленок приведены на рис. 2.20. Как видно из этого рисунка, ток короткого замыкания в пленках CdTe практически не зависит от температуры. Температурный ход генерируемого фотонапряжения, и температурная зависимость сопротивления пленки идентичны.

Download 3,08 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   10   11   12   13   14   15   16   17   18




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish