технологические вопросы изготовления полупроводниковых пленок с аномально высокими фотонапряжениями

§ 4. Люкс-вольтовые характеристики АФН-пленок
/3, 4,10/
Важнейшей характеристикой АФН-эффекта является зависимость фотонапряжения, генерируемого пленкой, от интенсивности возбуждающего света V_АФН(λ). Люкс-вольтовую характеристику исследовали путем ослабления падающего светового потока нейтральными светофильтрами. В качестве ослабляющих фильтров использовали мелкодисперные сетки, покрытые слоем cam.
Фотонапряжения измеряли статическими вольтметрами типа С-50, С-96 и электрометром СГ-IM и электрометрическими усилителями У-1-2, В-2-5 в зависимости от величины генерируемого пленкой фотонапряжения.
Типичные люкс-вольтовые характеристики пленок Bi₂Te₃+Sb₂Te₃, Bi₂Te₃+Bi₂Se₃ представлены на рис. 2.10. Фотонапряжение с увеличением интенсивности падающего света до 0,35 Вт/см² при комнатной температуре линейно возрастает. Эта интенсивность света соответствует условной единице на оси абсцисс.
В пленках PbS получены результаты, аналогичные данным работы /57/. Как видно из рис. 2.10, генерируемое фотонапрякение при температуре жидкого азота превышает 5000 В, а зависимость V_АФН(B) носит сублинейный характер. Существенно, что при температуре жидкого азота в области малых интенсивностей света фотонапрякение резко возрастает.
При В=10^-6 вт·см² пленки Bi₂Te₃+Sb₂Te₃ развивают фотонапрякение порядка IB. Вид зависимости V_АФН(B) изменяется от линейной до сублинейной в интервале температур 206÷77° (рис.2.11). При температурах ниже 200°К появляется тенденция к. сублинейному ходу V_АФН. Такое поведение люкс-вольтовой характеристики в диапазоне от комнатной до температур жидкого азота объяснено в § 9 данной главы.

Рис. 2.10. Люкс-вольтовые характеристики АФН-пленок:
а-для Bi₂Te₃+Sb₂Te₃,б-для Bi₂Te₃+Bi₂Se₃
1- V_АФН при Т =300°К; 2- V_АФН при Т = 77°К.