Tasdiqlayman” Mirzacho’l tumani kasb-hunar maktabi direktori M. Mirzayev “ “

Mavzuga doir nazariy savol va amaliy topshiriqlar
1. Qanday xususiyatiga ko‘ra ularni yarimo‘tkazgichlar deb nomlashgan? 2. Elektron o‘tkazuvchanlik qanday zarralarning harakati bilan bog‘langan? 3. Elektron bilan kovak uchrashganda qanday hodisa ro‘y beradi? 4. Nima sababdan yarimo‘tkazgichning qarshiligi unga kiritilgan aralashmaga kuchli darajada bog‘liq?
5. Akseptor aralashmali yarimo‘tkazgichda qanday zaryad tashuvchilar asosiy hisoblanadi?
6.D.I. Mendeleyevning kimyoviy elementlar davriy sistemasi jadvalini oling. Undan III va V guruhdan aralashma sifatida ishlatsa bo‘ladigan elementlarni yozib oling. IV guruhdagi yarimo‘tkazgich bilan aralashmali yarim o‘tkazgich hosil bo‘lish chizmasini chizing.

44-mavzu. YARIMO‘TKAZGICHLI ASBOBLAR (DIOD, TRANZISTOR) VA ULARNINGTEXNIKADA QO‘LLANILISHI

Reja; 1. Diod 2. Tranzistor 3. Yarim o’tkazgichlarning fan va texnikadagi qo’llanilishi
Mazkur yarimo‘tkazgichni tok manbayiga ulaylik. Dastlab yarim o‘tkazgichning p-sohasini manbaning manfi y qutbiga, n-sohasini manbaning musbat qutbiga ulaylik (9.9-rasm).

Bunda elektronlar manbaning musbat qutbiga, kovaklar manbaning manfiy qutbiga tortiladi. Natijada berkituvchi qatlam kengayadi. Yarimo‘tkazgich orqali deyarli tok o‘tmaydi. Bunday holat teskari p–n o‘tish deb ataladi.Endi yarimo‘tkazgichning p-sohasiga manbaning musbat qutbini, n-sohasiga manbaning manfi y qutbini ulaylik. Bunda elektronlar n-sohadan itarilib p-sohaga tortiladi.
Kovaklar esa p-sohadan itarilib, n-sohaga tortiladi. Natijada berkituvchi qatlam torayadi va undan zaryad tashuvchilar o‘ta boshlaydi (9.9-rasm). Yarimo‘tkazgichdan tok o‘tadi. Bunday holatni to‘g‘ri p –n o‘tish deyiladi. To‘g‘ri p–n o‘tishda yarimo‘tkazgichning elektr qarshiligi, teskari p–n o‘tishga nisbatan bir necha marta kichik bo‘ladi. Yarimo‘tkazgichda p–n o‘tish tufayli tok faqat bir yo‘nalishda o‘tadi. Uning bu xususiyatidan yarimo‘tkazgichli asboblarda foydalaniladi.Yarimo‘tkazgichli diod
Yarimo‘tkazgichlarda p–n o‘tishni hosil qilish uchun p va n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikkita yarimo‘tkazgichni mexanik ravishda ulash yetarli bo‘lmaydi. Chunki bu holda ulardagi oraliq katta bo‘ladi. p va n o‘tishdagi qalinlik atomlararo masofaga teng bo‘ladigan darajada kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli donor aralashmaga ega bo‘lgan germaniy monokristali yuzalaridan biriga indiy kavsharlanadi. Diffuziya hodisasi tufayli indiy atomlari germaniy monokristali ichiga kiradi. Natijada germaniy yuzasida p-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan soha hosil bo‘ladi.
Germaniy monokristalining indiy atomlari kirmagan sohasi avvalgidek n-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Oraliq sohada p–n o‘tish hosil bo‘ladi (9.11 a-rasm).Bitta p–n o‘tishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli asbobga yarimo‘tkazgichli diod deyiladi.
Tranzistorni tayyorlash uchun elektron o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan germaniy kristalining ikkita tomoniga indiy kavsharlanadi. Germaniy kristalining qalinligi juda kichik bo‘ladi (bir necha mikrometr). Mana shu qatlam tranzistor asosi, ya’ni bazasi deb ataladi (9.12 a-rasm).


Emitter – baza oralig‘iga ulangan B1 batareya kuchlanishi to‘g‘ri p–n o‘tishni hosil qiladi. Kollektor– b aza oralig‘idagi B2 batareya teskari p–n o‘tishni hosil qiladi. Unda kollektorda tok qanday hosil bo‘ladi? Baza– e mitter oralig‘iga qo‘yilgan kuchlanish ta’sirida kovaklar bazaga kirib keladi. Bazaning qalinligi juda kichik bo‘lganligi hamda unda elektronlar konsentratsiyasi kam bo‘lganligidan kovaklarning juda kam qismi elektronlarga birikadi. Ko‘pchilik kovaklar esa kollektor sohasiga o‘tib qoladi.Kollektorga B2ning manfiy qutbi ulanganligidan kovaklar unga tortilib, kollektor tokini tashkil etadi. Emitter – baza zanjiridagi tok kuchi, emitter– k ollektor yo‘nalishidagi tok kuchidan ancha kichik bo‘ladi. Emitter– b aza yo‘nalishidagi tok kuchi o‘zgarsa, emitter– k ollektor yo‘nalishida o‘tayotgan tok kuchi ham o‘zgaradi. Shunga ko‘ra tranzistordan o‘zgaruvchan tok signallarini kuchaytirishda foydalaniladi.Tranzistorni tayyorlashda baza sifatida p-turdagi yarimo‘tkazgich olinishi ham mumkin. Bu holda emitter va kollektor sohasi n-turdagi yarimo‘tkazgichdan tayyorlanadi. Bunday tranzistorni n–p–n strukturali tranzistor deyiladi.