Современные методы исследования Тестлер Кристалл бетиндеги атомлардың бетлик тығызлығы шамасы қандай? А

А – өтиўши электронлық микроскопия
Б – шағылысыўшы электронлық микроскопия
В – айналық электронлық микроскопия
Г – эмиссиялық электронлық микроскопия

41. 
    Электронлық микроскопияның қайсы методы электронның шығыў жумысының үлги бетинде бөлистирилиўин изертлеўге мүмкиншилик береди?
    

А – өтиўши электронлық микроскопия
Б – шағылысыўшы электронлық микроскопия
В – айналық электронлық микроскопия
Г – эмиссиялық электронлық микроскопия

42. 
    Өтиўши электронлық микроскоп дүзилиси схемасында 5 –…?
    

А – электронлар дереги Б – изертленетуғын үлги В – диафрагма Г – конденсор линза Д – тезлетиўши система

43. 
    Магнитлик масс-спектрометрде 5 - …?
    

А – затты газ ҳалына өткизиў, Б – ионлаў зонасы, В – вакуум, Г – магнит, Д – ионларды массасы бойынша анализлеў, Е – детектор

44. 
    Растрлы микроскоптың өтиўши микроскоптан принципиал өзгешелиги неде?
    

А – өтиўши микроскопта изертленип атырған беттен шағылысқан электронлар, ал растрлы микроскопта – оннан өткен электронлар анализленеди
Б – растрлы микроскоп ишинде вакуум болыўы керек
В – растрлы микроскопта электронлар дәстеси изертленип атырған беттиң барлығына емес, ал оның белгили точкасына фокусланады
Г – өтиўши микроскопта сүўрет флуоресцент пленкада қәлиплеседи.

45. 
    Қандай бетлерди туннель микроскоп жәрдеминде изертлеўгет болады?