Современные методы исследования Тестлер Кристалл бетиндеги атомлардың бетлик тығызлығы шамасы қандай? А

А – РФЭС методы бузыўшы (изертленип атырған үлгини бузады)
Б – РФЭС методы бузыўшы емес
В – РФЭС методы анализленип атырған бетлик қатламдағы элементлердиң салыстырмалы атомлық концентрациясын анықлаўға мүмкиншилик береди
Г – РФЭС методында анализленип атырған қатлам тереңлиги рентген нурының үлгиге кириў тереңлиги менен анықланады

36. 
    Төмендеги тастыйықлаўлар ишинен дурысларын табың.
    

А – РФЭС методы жәрдеминде диэлектрик үлгилерди изертлегенде бет электрлик зарядланыўы мүмкин
Б – РФЭС методы жәрдеминде диэлектрик үлгилерди изертлегенде бетте электр зарядлары топланбайды
В – беттиң электрлик зарядланыўы фотоэлектрон спектр сызықларына тәсир жасайды
Г – беттиң электрлик зарядланыўы фотоэлектрон спектри сызықларының ҳалына тәсир жасайды

37. 
    Қайсы методта үлгиден шығып атырған электронлар энергиясы үлгиге түсип атырған биринши тәсир энергиясына ғәрезли емес?
    

А – РФЭС
Б – оже-электронлық спектроскопия
В– УФ-электронная спектроскопия

38. 
    ИК нурлардың оптикалық киши тығызлыққа ийе орталыққа кириў тереңлигине қандай факторлар тәсир қылады?
    

А – тек ғана ИК нур толқын узынлығы
Б – ИК нур толқын узынлығы ҳәм нурдың орталықлардың бөлиниў шегерасына түсиў мүйеши
В – ИК нур толқын узынлығы ҳәм салыстырмалы сыныў көрсткиши
Г – көрсетилген факторлардың барлығы

39. 
    Үлги бетиндеги электр микромайданлардың бөлистирилиўин изертлеў ушын электронлық микросокпияның қайсы методы қолланылады?
    

А – өтиўши электронлық микроскопия
Б – шағылысыўшы электронлық микроскопия
В – айналық электронлық микроскопия
Г – эмиссиялық электронлық микроскопия

40. 
    Электронлық микроскопияның қайсы методы үлги бетиндеги радиациялық дефкктлерди, вакансиялық илмеклерди ҳәм кристалланыў орайларын анықлаўға мүмкиншилик береди?