Samarqand davlat universiteti fizika fakulteti

Kermetlar  (chinni  va  metall  qotishmalari).  1955yilda  B. A.  Bochkarev 

va  V.  A.  Bochkarevalar[13]tomonidan  metall-dielektrik  kombinasiyasidan  tashkil 

topgan  material  yaratildi  va  bu  material  kermet  deb  ataldi.  Quyidagi  kermetlar 

yaxshi oʻrganilgan: Cr – MgF

2

, Au – SiO, Pt – Ta

2

O

5

, Cr

3

Si, TaSi

2

 – SiO  va   sh.k.

 

Hozirgi  paytda  Cr  –SiO  tizimida  yaxshi  natijalar  olingan.  Kondensatsiya 

---

52 

 

paytida bu qatlam amorf holatida boʻladi.   

 

2.3-rasm. Cr-SiO qatlamlar solishtirma qarshiligi va QHKning tarkibga 

hamda qizdirib ishlov berishga bogʻliqligi. 

Qatlam  oʻzining  xususiyatlarini  tiklashi  uchun  issiqlik  ta’sirida  qayta 

ishlanishi kerak.Qatlam qizdirilganida kristall fazalar vujudga keladi. Bunda taglik 

sifatida  kremniy  oksidi  ishlatilib,  unda  olingan  xrom  qatlami  gʻovaksimon-

donasimon strukturali boʻladi va buning natijasida u katta solishtirma qarshilikka 

hamda  QHK  ning  katta  manfiy  qiymatlariga  ega  boʻladi.  2.3-rasmda  bunday 

qatlamlar  solishtirma  qarshiligi  va  QHK  ning  tarkibiga  hamda  qizdirib  ishlov 

berishga  bogʻliqligi  koʻrsatilgan.  Koʻpincha  oksidlanishdan  saqlash  uchun  xrom 

qatlami  ustiga  muhofaza  qiluvchi  qoplam  yuritiladi.  Bunday  qatlamlar  500 

o

C 

gacha boʻlgan harorat oraligʻida uzoq vaqt ishlay oladi. 

 

2.3–jadvalda  kermetdan  tayyorlangan  qatlam  qarshiliklarining  ba’zi 

xarakteristikalari keltirilgan. 

 

---

53 

 

 

2.3-jadval. Ba`zi kermetlarning qarshliklari va solishtirma sirt 

qarshliklari. 

Kermet 

Qalinligi, 

mkm 

Om

sm

 

50 % NiCr—50 % SiO 

70 % Cr—30 % SiO 

75 % TaSi

2

— 25 % CrSi 

95 % TaSi—5 % SiO 

50 % CrSi—25% TaSi

2

+25% 

SiO 

0,1 

0,1 

0,03 

0,1 

0,02 

600 

300 

2000 

2000 

5000