Тажрибада ёритилган намунада фотоутказувчанликдан
содир булган кучланиш тушувининг узгаришини улчаб,
(4.117) дан г ни
S
ни аникдаш мумкин. Стационар фото-
утказувчанликни к^айси параметрлар (г,
s)
аникдашини
текшириш учун \ар хил калинликдаги намуналарда улчов
утказиш максадга мувофик, булади. Агар сигнал А
V
наму
на кдлинлиги
d
ни
камайиши билан
- у
буйича ортиб
d
борса, (4.117) ва (4.122) ларга кура, А К га асосий таъсир
курсатувчи параметр г булади. Агар асосий таъсир курса-
тувчи параметр
S
булса, намуна к,алинлигининг камайи
ши
билан сигнал
AV
(4.117) ва (4.123) га кура ^ буйича
ортиб боради.
Улчанган А К буйича г ёки
S
ни аникдаш учун бундан
таищари заряд ташувчиларнинг сиртий ёки \ажмий ге
нерация тезликларини билиш керак булади. Коэффици-
ентлари
aJ3
маълум булган яримтуказгичлар учун наму-
нага гушаётган ёруглик интенсивлиги /fiv ни билиш етар-
ли булади. Бунинг учун ёруглик
спектрининг тегишли
сохасига сезгир, олдиндан даражаланган исталган фото-
к,абул хилгичларни хуллаш мумкин.
а
ва /3 коэффициент-
лари ноаник, булган ,\олларда генерация тезлиги
g
ни аник,-
лаш учун текширилаётган материаллардан ясалган потен
циал тусик^ли
(р-п
утиш,
p-i-n
ва Шоттки диодлари)
фотохабулкилгичларни хуллаш махсадга мувофикдир. Бу
фоток1абулк,илгичлар бирга як,ин узгартириш коэффици
ента билан квант ок,имини заряд ташувчилар охимига,
яъни токка айлангиради, яъни
i = gVo
(4.126)
булади. Бу ерда,
Уп
— фоток,абулк,илгичнинг ёругликка
сезгир сохасининг хажми. (4.126) дан фототок / ва хажми
V0
ни
билган холда
g
аникданади Заряд ташувчиларнинг
яшаш вак,тини аник^ашда, булардан ташхари, уларнинг
Харакатчанлиги, намунанинг геометрик улчамларини би
лиш керак булади. Бу усулда хар хил намуналарда улчан
ган куп параметрларнинг к,атнашиши туфайли, юхори
булмаган анихдикда 20—30%, баъзан ундан катта булк.:;
216
хатолик билан t ни аникдаш мумкин. Лекин бу усул би
лан заряд ташувчиларнинг жуда кичик яшаш вак,тларини
10'9—10~10 с гача уЛЧаш мумкин.
Стационар фотоутказув-
чанлик Усули билан t ни улчашдаги асосий хатолик ман-
баи сифа-гцца ёпишиш марказларининг таъсирини курса
тиш мумкин. Ёпишиш марказининг таъсири германийда
273 К дац; кремнийда 400 К дан паст температураларда
намоен б^Лади. А3 В5 бирикмаларида ёпишиш марказла
рининг сатх,и оддий элементар яримутказгичларникидан
юкори. Ц1унинг учун уларга бу усулни куллаш чеклан-
ган. Mabj,yMKHi яримутказгичларда ёпишиш маркази мав-
жуд булса; электрон, ковак яшаш вакд\лари
тенг булмай-
ди. Агар ёпишиш марказлари томонидан ушланган элек
трон
к о ц ц енТр а ц и я си н и
билан белгиласак, электр
нейтраллцк шарти
Ар
= Д л + Д /1з
(4 .1 2 7 )
куринищда булади. Электрон, ковакнинг рекомбинация
тезликларининг бир-бирига тенглигидан
4>
Do'stlaringiz bilan baham: