Respublihasi

Tranzixtorli kutuvchi CHO‘HG

7.10-rasmda tashqi boshqaruv rejimida ishlovchi kutuvchi CHO‘KG sxemasi keltirilgan. Generator arrasimon kuchlani- shining to‘g‘ri yo‘li kengligi boshqaruvchi impuls kengligi bilan aniqlanadi.

VT1 tranzistor tranzistorli kalit bo‘lib, to‘yingan holatni I_b

baza toki ta'minlaydi:

b
_{I } ^Ek ^U ben

R_b

 I _bn ,

I  ^{I kn} 

E_{k ,}

b to‘y

^ R_k 

bu yerda

  h_21e ^{, bundan}

R_b  R_k   ^.

Kirish signali U_kir bo‘lmaganida, VT1 tranzistor to‘yingan va U_ke=U_{ke to‘y}; odatda, 1 V dan ortiq bo‘lmaydi. Demak, kirish impulsi bo‘lmaganida, chiqish kuchlanishi nolga yaqin (U_chiq =U_{ke to‘y}).

8— A.A. Xoliqov

113

7.11-rasmda sxemaning ishlash ossillogrammalari keltirilgan.

Boshqaruv impulsi t₁ vaqtda kelib, VT1 tranzistorni yopadi (U_kir= 0,3—0,5 V). Boshqaruv impulsining chegaraviy qiymati shunday bo‘lishi lozimki, U_G E_k dan ortmasin. Bunda G kondensator R_k orqali E_k kuchlanishdan zaryadlanadi va arrasimon to‘g‘ri yo‘lni shakllantiradi. Talab etilgan  qanchalik kichik bo‘lsa,

^UG max

shunchalik kichik bo‘ladi.

^—Echiq

7.10- rasm. Tashqi boshqaruvli rejimidagi kutuvchi CHO‘KG.

^Ukir

^Uchiq ^Ukn
—E_k

7.11- rasm. Tashqi boshqaruvli rejimidagi kutuvchi CHO‘KG.

t₂ vaqtdan so‘ng VT1 tranzistor to‘yinadi va G kondensatorning tranzistor shu orqali razryadlanishini ta'minlaydi. Agar kollektordagi

kuchlanish U_{ke to‘y} ga (t₃ vaqtda) erishganida navbatdagi yopuvchi impulsni berish mumkin bo‘ladi.

114

Chiziqliligini oshirish uchun, foylanish koeffitsiyenti =

=0,25—0,4 bo‘lishi kerak, shuning uchun E_k kattalik U_m dan 3—

4 marta katta bo‘lishi lozim, bu esa yuqori kuchlanishli

tranzistorlarning qo‘llanilishini talab etadi. 2xemada past kuchlanishli tranzistorlar bo‘lganda, VD zanjiri va E_bo‘s qo‘llaniladi. E_bo‘s manbayi quyidagi shartdan tanlanadi:

E_bo‘s > U_m zanjiri bilan |U_m| < |E_bo‘s| < |E_k|.

Agarda |U_k| ortsa, |E_bo‘s| dan diod ochiladi. U_k kuchlanish E_bo‘s dan oshmaydi. Bu esa past kuchlanishli tranzistorlardan foydalanish imkoniyatini katta kuchlanishli manbada ham ruxsat etadi. Natijada, to‘g‘ri yo‘l nochiziqlik koeffitsiyenti  qiymatini

nisbatan kichikrog‘ini olish mumkin. 7.11-rasmda teskari aloqali kutuvchi CHO‘KG sxemasi keltirilgan. U manfiy teskari aloqa hisobiga chiziqli o‘zgaruvchan generator ishi qo‘llanish sifatini yaxshilash imkoniyatini yaratadi (nochiziqlik koeffitsiyenti  ni kamaytiradi).
k

k
7.11-rasm. Teskari aloqali kutuvchi CHO‘KG sxemasi.

Boshlang‘ich holatda VT1 tranzistor yopiq E_sm, «+» manbayidan VT1 bazasiga VD diod orqali, E_sm quyidagi shartdan E_be>0 (VT tranzistorni yopish uchun kuchlanish 0,25—0,3 V bo‘lishi lozim). Bundan,

U  ^{Ek  Rsm}  I

 R .

^sm R  R

kb0 sm

b sm

115

Bunday rejimda VD diod ochiq, VT tranzistor yopiq va G kondensator R_sm, VD, G, R_k lar orqali E_k va +E_k , +E_sm zanjir orqali zaryadlanadi. Bundan,

U_G  E_k  E_sm  I_kb0  (R_sm  R_k )  E_k  E_sm .

VD diodga kelib uni yopuvchi manfiy impuls, kirishdan ishga tushiruvchi impuls kelishi bilan, uni yopadi, R_b esa VT1 tran- zistorning to‘yinishini ta'minlaydi. Bunda kondensator +C zanjiridan

R_b orqali manba E_k U_C ga mos ulangan, to‘yingan VT1_to‘y, tranzistorning emitter-kollektor — EK ochiq, G sig‘imiga.

7.12-rasmda teskari aloqali kutuvchi CHO‘KG ishlash tamoyili ossillogrammalari keltirilgan. t₁ vaqtda manfiy ishga tushiruvchi impuls keladi. U VD diodni yopadi va E_sm ni VT tranzistorning bazasidan

uzadi. Manfiy qutbli ishga tushiruvchi impuls amplitudasini

U _yop  1, 0  1,5 V

ta'minlashi lozim. Bunda VT tranzistorning

o‘zgarmas tok bo‘yicha rejimi o‘zgaradi. VT tranzistor to‘yinadi, natijada, kondensator G razryadlanishi boshlanadi. Kondensator

^{G dagi kuchlanish razryadgacha} U_G

 E_k

bo‘ladi. Kondensator G

^{ning asosiy razryad zanjiri} R_b , E_k ^{orqali U}_C ^{ga mos ulangan,}

VT1 to‘yingan tranzistorning emitter-kollektori EK dan G ga intiladi.

Qo‘shimcha R_b va R_k zanjiri unchalik ahamiyatga ega emas. Kondensator G razryadlanishida kirish impulsi kengligiga mos keluvchi chiziqli o‘zgaruvchan kuchlanish t_np kengligi bilan

shakllanadi.

^Ukir


^Uchiq ^Uqold^=Uke to‘y

—E_k

^t₁ ^t₂ t₃

^tto‘g‘ ^ttes
Ikb0^Rk

7.12 - rasm. Manfiy teskari aloqali kutuvchi CHO‘KG ishlash tamoyilining ossillogrammasi.

116

Agarda razryad toki o‘zgarmas bo‘lsa (i_r=const), G konden- satordagi kuchlanish chiziqli qonuniyat bilan o‘zgaradi. Manfiy teskari aloqa hisobiga G kondensator VT1 tranzistorning baza va

kollektoriga ulangan, U_C(t) ning o‘zgarishi amalda chiziqli qonu- niyat bilan sodir bo‘ladi.

Fizik jihatdan bu tranzistor baza-emitteri (BE) kichik qar- shilikka egaligidan tokli mexanizm bilan ta'minlanadi. Bu holda:

^IRb

 I_G

• 
  I_b
  

_ E_k

R

 const.

b
Kondensator G razryadlanishi bilan I_C tok kamaya boshlaydi; lekin umumiy tokda R_b (I_Rb=const) orqali baza (I_b) tokining oshishiga olib keladi. Ushbu baza I_b toki oshishi bilan kollektor (U_C=I_b·h_21e) toki ham ortadi. Bu tok R_k orqali oqib, tranzistor kollektori va kondensator G orasida bo‘linib, I_C tokining kamayishini kompensatsiyalaydi. Manfiy teskari aloqa hisobiga

kondensator razryadi U_C chiziqli o‘zgarishini ta'minlab, I_C

taxminan o‘zgarmas bo‘lib qoladi.

t₂ vaqtda ishga tushiruvchi impuls tugaydi, VD diod E_sm

kuchlanish bilan ochiladi, tranzistor VT yopiladi, kondensator G

zaryadi jarayoni yana boshlanadi. Zaryadlanish vaqt doimiysi razryadlanish vaqt doimiysiga nisbatan kichik (_zar<< _razr).

(R_sm  r_dto‘y )  R_k

, u holda

_zar  R_k G.

2xemaning qayta tiklanish vaqti quyidagicha aniqlanadi:

t_tikl  (3  5)_zar .

7.12-rasmda sxemaning ishlash tamoyilini tasvirlovchi ossillo- grammalar keltirilgan.

 nochiziqlilik koeffitsiyentini kamaytirish uchun K_k va h_21e larni oshirishni tavsiya etish mumkin.