Reja: Hozirgi zamon mikro va nanoelektronikasi haqida

Hozirgi zamon mikro va nanoelektronikasida yarimo’tkazgichlarning o’rni.

Reja:
1.Hozirgi zamon mikro va nanoelektronikasi haqida.

2.Mikroelektronikada yarimo’tkazgichlarning ahamiyati.
3. Nanoelektronikada yarimo’tkazgichlarning ahamiyati.

Mikroelektronika-elektron uzellar,bloklar va qurilmalarni juda mitti integral qurilmalar tarzida yaratish bilan shug’ullanadigan elektronika sohasi.20-asr 60-yillarida vujudga keldi.Qattiq jism fizikasi hisoblanadi.

Ayrim qurilmalarda alohida tayyorlangan bir necha ming electron lampa,transistor,kondensator,resistor,transformator va boshqalarni qo’llab,ularni kavsharlab yoki payvandlab yig’ilishi natijasida apparatlar qo’pol bo’lgan.Bosma montaj,mikromodul,integral sxemaning yaratilishi bilan bu kamchiliklar deyarli bartaraf qilindi.
Mikroelektronikani bir birini to’ldiruvchi bir necha yo’nalishlar: integral elektronika ,vakuum mikroelektronka ,optik elektronika va funksional elektronika kabi yo’nalishlarga ajratish mumkin.Integral elektronika eng keng rivojlangan.Bu sohaning vujudga kelishi radioelektron apparatlarni mikrominiatyuralashga (mittilashga) imkon berdi.Integral sxema (mikrosxema) hisoblash texnikasi va kosmik sistemalarda ham ho’jalikda ishlatiladigan apparatlarda ham qo’llaniladi.Yarimo’tkazgichli integral sxemalar 1959-61-yillarda yaratildi.Bunday integral sxemalarning integrallash darajasi yuqori.Guruhlab tayyorlash usuliga o’tish yo’li bilan yarimo’tkazgichli material plastinkalaridagi aktiv elementlar tayyorlash texnologiyasining takomillashtirish bosma montaj texnikasining va passiv mikrominiatyur komponentlarni yaratish texnologiyasining rivojlanishiga ,bu esa ,o’z navbatida, plyonkali integral sxemalarni ishlab chiqishga olib keladi.
Zamonaviy texnik tizimlar va vositalarni boshqarish hamda fan va texnikaning rivojlanishi elektronikaning etakchi tarmoqlaridan biri bo’lgan mikroelektronika hamda endigina paydo bo’layotgan nanoelektronika sohalarida faoliyat ko’rsatadigan malakali mutaxacsislarni tayyorlash bilan uzviy bog’liqdir.
Zamonaviy elektronika mahsulotlari bo’lmish integral mikrosxemalar, mikroprostessorlar, o’ta yuqori chastotali detektorlar, quyosh elementlari, lazerlar, elektron hisoblash mashinalar va o’ta yuqori xotirali tizimlar va boshqa noyob elektrik asboblarni yaratish yangi xususiyatga ega bo’lgan yupqa va o’ta yupqa ko’p komponentli qatlamlar tizimlarini yaratishni taqozo qiladi. Shu boisdan ham keyingi yillarda yupqa va o’ta yupqa qatlamlar hosil qilish texnologiyasi va fizikasiga bo’lgan e’tibor keskin ortib ketdi.
Yupqa plyonkalar olish va ularning xususiyatlarini o’rganish o’tgan asrning 70 yillardan boshlab qo’llanilib kelinayotgan an’anaviy usullari mavjud.
Bu usullar bilan olingan plyonkalarning qalinligi asosan bir necha mikrondan o’nlab mikrongacha bo’lib, ular qattiq jismli elektron asbobsozlikda hozirgi kunda ham muvaffaqiyatli qo’llanilib kelmoqda. Hozirgi vaqtga kelib yupqa (d10²10³ nm) va o’ta yupqa (d<100 nm) plyonkalar olishning zamonaviy molekulyar nurli epitaksiya(MNE), qattiq fazali epitakstiya(QFE), ionlar implatastiyasi va eng zamonaviy (nanoassembler) usullari orqali hosil qilish mumkin. Zamonaviy usullar yordamida asosan plyonka hosil qilish o’ta yuqori vakuum sharoitda olib borilishi, o’ta yaxshi tozalangan asos(taglik)lardan va atom(molekula) manbalaridan foydalanilishi, plyonkalarning mukammalligi(yuqori darajada tekisligi, bir jinsliligi, silliqligi, monokristalligi) bilan eski (tradistion) usullaridan tubdan farq qiladi.
Hozirgi paytda