MDYA - tranzistorlar asosidagi IMSlarni tayyorlash Diskret MDYA — tranzistorlaming VI bobda keltirilgan tuzilish sxemalari va parametrlari integral texnologiya uchun ham qo‘llanilishi mumkin. Bunda MDYA — tranzistorlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasi BTlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasiga qaraganda ancha sodda bo‘lib, u ikkita omil bilan bog‘liq: 1) Kanallari bir xil o'tkazuvchanlikka ega integral MDYA - tranzistorlar uchun tuzilmalami izolatsiyalash operatsiyasi talab etilmaydi. Asos hamma vaqt istok va stokka nisbatan teskari o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Shuning uchun istok - asos va stok - asos p-n o‘tishlaming biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida teskari ulanadi va izolatsiyani ta’minlaydi; 2) Barcha tayyorlash jarayoni faqat MDYA - tuzilmani hosil qilishga olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida, balki rezistorlar va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi. Shunday bo‘lishiga qaramasdan, kristallda yonma-yon joylashgan va turli o‘tkazuvchanlikli kanallarga ega komplementar MDYA - tranzistorlarda (KMDYA) izolatsiya talab etiladi. Izolatsiyalash uchun tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho‘ntakchaga joylashtirish kerak bo‘ladi. Masalan, agar asos sifatida p - kremniy ishlatilsa, p – kanalli tranzistor uchun awal n -turli cho‘ntakcha tayyorlanishi kerak. MDYA — tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida yaratiladi. Bu texnologiyada kremniy sirtida oksidlash, fotolitografiya va ochilgan darchalarga kiritmalar diffuziyasini amalga oshirish ilgaridek bajariladi. MDYA - tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo‘lgani uchun unga alohida talablar qo‘yiladi. Xarakteristika tikligini oshirsh uchun (6.18)ga muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak. Oxirgi 40 yil ichida dielektrik material sifatida asosan kremniy ikki oksidi ( ) qo‘llanilib keldi, zatvor esa kremniydan tayyorlandi. Mikrosxemalaming har bir yangi avlodiga o‘tish bilan izolatsiyalovchi qatlam qalinligi kichrayib bordi. Lekin, qatlam yupqalanishi bilan sizilish toklari oshadi, ortiqcha issiqlik ajralishlar paydo bo‘ladi va tranzistor holatini boshqarish og‘irlashadi. Bugungi kunda Intel korporatsiyasi tomonidan ishlab chiqarilayotgan tranzistorlarda zatvor osti dielektrigining qalinligi ( ) 1,2 nm ni yoki besh atom qatlamni tashkil etmoqda. 2007-yildan buyon 45 rnnli ishlab chiqarish texnologiyasiga o‘tildi. Bu texnologiyada kichik sizilish tokli tranzistorlar zatvorlarini hosil qilishda dielektrik sifatida yuqori dielektrik singdiruvchanlikka ega bo‘lgan gafhiy tuzlari asosidagi high —k material ishlatilmoqda. Natijada, qalinroq dielektrik ishlatish va sizilish tokini o‘n martadan ko‘proq kamaytirish imkoni tug'ildi. Lekin yangi material kremniyli zatvor bilan «chiqishmadi». Shunda zatvor sifatida materiallaming yangi turini ishlatish taklif etildi, natijada ular asosidagi tranzistorlar ulanishi va uzilishi uchun 30% kam energiya sarflanishiga erishildi. Yangi texnologiya bir xil yuzada joylashadigan tranzistorlar sonini ikki marta oshirish imkonini berdi. MDYA - tranzistorlar ichida metall — nitrid kremniy - dielektrik - yarimo‘tkazgich (MNDYA) tranzistorlar (7.7a-rasm) alohida o‘rin tutadi Bunday tranzistorlar xotira elementi rolini bajaradi va qayta dasturlanuvchi xotira qurilmalar asosini tashkil etadi 7.7-rasm. MNDYA — tranzistor tuzilmasi (a) va stok-zatvor VAXi (b).
Ushbu tranzistor dielektrigi ikki qatlamdan: qalinligi 2+5 nm ni tashkil etuvchi va kremniy oksidi ustiga purkalgan 0,05+0,1 mkm qalinlikdagi kremniy nitrididan tashkil topadi. Mantiqiy 1 ni hosil qilish uchun zatvorga qisqa (100 mks) musbat impuls beriladi, bunda elektronlar asosdan yupqa orqali tunnel o‘tib ikki qatlam chegarasida to‘planadi, chunki qalin qatlam elektronlami o‘tkazmaydi. To‘plangan zaryad mantiqiy 1 ni yozishda berilgan impuls o‘chirilgandan so‘ng ham saqlanib qoladi. Bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymati gacha qiymatli impuls berilgandan so‘ng kamayadi (7.7-b rasm). Axborotni o‘qish uchun tranzistor zatvoriga Ucr kuchlanish beriladi. Uning absolut qiymati va orasida bo‘lish kerak. Agar mantiqiy 1 yozilgan bo‘lsa, tranzistor ochiq, agar mantiqiy 0 bo‘lsa -berkligicha qoladi.
