Reja: Bipolar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

Dielektrik bilan izolatsiyalash usulu Bu texnologiya p-n o‘tish
bilan izolatsiyalanib tayyorlangan IMSlarga nisbatan yaxshiroq xarakteristikalarga ega mikrosxemalar yaratish imkonini beradi. Xususan, izolatsiyalash darajasi taxminan 6 tartibga ortadi, teshilish
kuchlanishi kattalashadi, parazit sig‘imlar taxminan 2 tartibga kamayadi,
radiatsiyaga chidamlilik ortadi, IMS tezkorligi oshadi. Ushbu texnologiya asosida kichik quwatli va yuqori tezlikda ishlaydigan raqamli IMSlar yaratish maqsadga muvofiq, chunki bunday texnologik jarayon narxi planar-epitaksial texnologiyaga nisbatan yuqori.
Sodda IMS yaratish ketma-ketligi 7.5-rasmda ko‘rsatilgan.
O‘tkazuvchanligi n —turli asosga surma yoki margumush l-2
mkmga diffuziya qilish yo‘li bilan plastinaning butun yuzasi bo‘уlab n
— o‘tkazuvchanlikka ega yashirin qatlam hosil qilinadi. Asosni n - qatlam tomondan termik oksidlab, uning butun yuzasida Si02 oksid qatlam hosil qilinadi. Birinchi fotolitografiya yordamida ushbu qatlamda izolatsiyalovchi sohalar uchun «darcha»lar ochiladi (7.5a-rasm), oksid bilan himoyalangan sohalar yemirilgani uchun 8-15 mkm boigan «chuqurcha»lar hosil qilinadi (7.5b-rasm). So‘ng «chuqurcha»lar yuzalari oksidlanadi (7.5c-rasm). Bundan keyin oksidlangan «chuqurcha»lar tomondan asos sirtiga 0,2-0,25 mm qalinlikdagi polikristall kremniy
o‘stiriladi. Polikristall kremniy keyinchalik bo‘lg‘usi IMS asosi bo‘lib
xizmat qiladi (7.5d-rasm)
а)

b)

d)

e)

f)


7.5-rasm. IMS elementlarini dielektrik qatlam bilan izolatsiyalash.
Shundan so‘ng asosning qarshi tomoni oksid qatlamgacha shlifovka qilinadi yoki yemiriladi (7.5e-rasm). Shunday qilib, bir-biridan Si02 qatlam bilan izolyatsiyalangan, n —o‘tkazuvchanlikli yashirin qatlamga ega n —sohalar (cho‘ntakchalar) hosil qilinadi. Bu sohalarda oksidlash, fotolitografiya va diffuziya usullari bilan mikrosxema elementlari yaratiladi. Baza sohalarini hosil qilishdan boshlab keyingi jarayonlar planar - epitaksial texnologiya jarayonlariga o‘xshash davom etadi.
ВТ asosidagi raqamli IMSlaming ba’zi mantiq elementlarida ko‘p
emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar qo‘llaniladi.
Ko‘p emitterli tranzistor (KET)ning shartli belgilanishi va tuzilmasi 7.6-rasmda ko‘rsatilgan.

7.6-rasm. KET tuzilmasi (a) va shartli belgilanishi (b).



KET bazalari va kollektorlari ulangan tranzistorlar majmui boiib,
undagi emitterlar soni 5-8 ta bo‘lishi mumkin. Ko‘p kollektorli tranzistorlar (KKT) — invers rejimda ishlayotgan KETdir. Bunda umumiy emitter bo‘lib KETning kollektori, kollektorlari boiib esa emitterlaming n - sohalari xizmat qiladi.