Reja: Bipolar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

IMS tayyorlash uchun p — o‘tkazuvchanlikka ega, qalinligi 0,2-0,4 mm, bo‘lgan kremniy asosdan foydalaniladi (7.3-rasm). Bunday asosda elementlari soni mingtagacha yoki yuzlarcha bo‘lgan o‘rta va yuqori integratsiya darajali mikrosxemalar bir vaqtda hosil qilinadi (har bir kvadratda bir xil IMSlar joylashadi).
Asos sirtida termik oksidlash yo‘li bilan qalinligi 0,5-1 mkm
bo‘lgan Si02 qatlam hosil qilinadi. Shundan so‘ng birinchi fotolitografiya oksid qatlamda «darcha»lar ochish uchun o‘tkaziladi. Darchalar orqali 1—2 mkm qalinlikka donor kiritmalar (surma yoki margumush) diffuziya qilinadi. Natijada bo‘lg‘usi tranzistorlar kollektorlari ostida elektr tokini yaxshi o‘tkazuvchi n+ - soha hosil bo‘ladi. Ushbu qatlam yashirin n - qatlam (cho‘ntak) deb ataladi. U kollektor qarshiligini kamaytiradi, natijada tranzistor tezkorligi ortadi, kollektor esa ikki
qatlamli n+ - n bo‘lib qoladi.


7.3-rasm. Asos va uning sirtida bir vaqtda tayyorlanadigan IMSlartizimi.




Shundan keyin kremniy oksidi yemiriladi, asos sirtiga qalinligi
8+10 mkmm tashkil etuvchi n — turli epitaksial qatlam o‘stiriladi va
epitaksial qatlam sirtida oksid qatlam hosil qilinadi. Ikkinchi fotolitografiya yordamida oksid qatlamda ajratuvchi difiiziyani o‘tkazish uchun darchalar ochiladi. Aktseptor kiritmalami (bor) darchalar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to‘rtta n — soha (sxemadagi elementlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n - sohalar bir-biridan p-n o‘tishlar yordamida izolatsiyalangan bo‘ladi. Ushbu sohalaming bin
tranzistorning kollektori bo‘lib xizmat qiladi. Tranzistorning bazasi,
kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolatsiyalangan n - sohalarga akseptor kiritmalar diffiiziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun awal hosil qilingan oksid qatlamda uchinchi fotolitografiya yordamida shunday o‘lchamli darchalar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin.
Keyin tranzistor emitteri, diod katodi, kondensator qoplamasi,
kollektor sohaning omik kontakdni hosil qiluvchi n+ - turli emitter sohalar hosil qilinadi. Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid qatlamida to‘rtinchi fotolitografiya yordamida zarur ko‘rinishdagi «darcha»lar ochib, ular orqali n+- turli kiritma hosil qiluvchi atomlar diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlami о zaro ulash bilan yakunlanadi. Bu Si02 qatlamda beshinchi fotolitografiyani amalga
oshirish, alyuminiyni vakuumda purkash, alyuminiyni ishlatilmaydigan
sohalardan olib tashlash va termik ishlov berish bilan amalga oshiriladi.
7.2-rasmda keltirilgan sxemaga mos IMS tuzilmasi 7.4-rasmda
ko‘rsatilgan.