References k. Graff, Metal Impurities in Silicon-device Fabrication, 2nd ed. Springer, Berlin, 2001

REFERENCES

1. 
   K. Graff, Metal Impurities in Silicon-device Fabrication, 2nd ed. (Springer, Berlin, 2001).
   
2. 
   Ammon, W.: Defects in Monocrystalline silicon. In: Kasap, S., Capper, P. (eds.) Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, Springer, New York (2007), pp. 101–120.
   
3. 
   Y. Yoshida, G. Langouche (eds.), Defects and Impurities in Silicon Materials, Lecture Notes in Physics 916, DOI 10.1007/978-4-431-55800-2_1, Springer, 2015, p. 18.
   
4. 
   Куликов Г.С., Юсупова Ш.А. Влияние марганца на диффузионное распределение никеля в кремнии. //ФТП, 1995,т.29,в.3,с.469-473.
   
5. 
   G.W. Ludwig, H.H. Woodbury: Solid State Phys. 13, 223(1962)
   
6. 
   H.H. Woodbury, G.W. Ludwig: Phys. Rev. 117, 102(1960)
   
7. 
   E. Weber, H.G. Riotte: Appl. Phys. Lett. 33, 433(1978)
   
8. 
   Kvande et al., J. Appl. Phys. 104, 064905, 2008
   
9. 
   T. Isobe, H. Nakashima and K. Hashimito. Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, No.7, July, 1989, pp.1282-1283.
   
10. 
    W. Wijaranakula and S. S. Kim. Precipitation of 3d transitionmetal silicides in Czochralski silicon crystals. Journal of Applied Physics 76, 6017 (1994); doi: 10.1063/1.358355
    
11. 
    J. Schmidt et.al. Journal of Applied Physics 102, 123701 (2007); doi: 10.1063/1.2822452
    
12. 
    К.П.Абдурахманов, Г.С. Куликов, А.А. Лебедев, Ш.Б. Утамурадова, Ш.А. Юсупова. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния, //ФТП, 1991, т.25, в.6, с. 1075-1078.
    
13. 
    Загребин Л.Д., Бузилов СВ. Измерение температуропроводности и тепло-проводности металлов вблизи точки плавления. //ПТЭ.- 2003. - № 1 - С153-157
    
14. 
    А.С. Асташенков, Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии. Доклады БГУИР, 8(38), 2008, с. 37-43
    
15. 
    М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. Взаимодействие атомов кобальта с окисленной поверхностью Si(100)2×1. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 10. С.1901-1906
    
16. 
    Н.И. Медведева, Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский. Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11. С.1281-1284
    
17. 
    Ch. Sun, A.Liu, Fiacre E. Rougieux,  D. Macdonald. Lifetime Spectroscopy and Hydrogenation of Chromium in n- and p-type Cz Silicon. Energy Procedia, Volume 77, August 2015, Pages 646-650
    
18. 
    H. Nakashima, Taizoh Sadoh, H. Kitagawa, K. Hashimoto. Diffusion and electrical properties of 3d transition-metal impurity series in silicon.
    Materials Science Forum, 1993 (Volumes 143-147). Pp. 761-766.
    
19.