Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

Производительность[править]
По состоянию на 2013 архитектура V-NAND flash позволяет выполнять операции чтения и записи в два раза быстрее, чем обычные NAND, и может длиться до 10 раз дольше, потребляя при этом на 50 процентов меньше энергии. Они предлагают сопоставимую физическую плотность бит с использованием 10-нм литографии, но могут увеличить плотность бит до двух порядков, учитывая использование V-NAND до нескольких сотен слоев. ^[72] По состоянию на 2020 год Samsung разрабатывает чипы V-NAND со 160 слоями.^[76]
Стоимость[править]

Минимальная стоимость бита 3D NAND из не вертикальной боковины. Верхнее отверстие расширяется с увеличением количества слоев, противодействуя увеличению плотности долота.
Стоимость пластин 3D NAND сравнима с уменьшенной (32 нм или менее) плоской вспышкой NAND. ^[77] Однако при планарном масштабировании NAND, останавливающемся на 16 нм, снижение затрат на бит может продолжаться с помощью 3D NAND, начиная с 16 слоев. Однако из-за не вертикальной боковой стенки отверстия, протравленной через слои, даже небольшое отклонение приводит к минимальной стоимости долота, т. Е. минимальному эквивалентному правилу проектирования (или максимальной плотности), для данного количества слоев; это минимальное количество слоев ^{стоимости долота уменьшается при меньшем диаметре отверстия.}
Ограничения[править]
Стирание блоков[править]
Одним из ограничений флэш-памяти является то, что, хотя она может быть прочитана или запрограммирована по байту или слову за раз произвольным способом доступа, она может быть стерта только по блоку за раз. Обычно это устанавливает все биты в блоке равными 1. Начиная со свежевытертого блока, можно запрограммировать любое место внутри этого блока. Однако после того, как бит был установлен в 0, только стерев весь блок, он может быть изменен обратно на 1. Другими словами, флэш-память (в частности, NOR flash) предлагает операции чтения и программирования с произвольным доступом, но не предлагает произвольных операций перезаписи или стирания с произвольным доступом. Однако местоположение может быть переписано до тех пор, пока биты 0 нового значения являются надмножеством перезаписанных значений. Например, значение клева может быть стерто до 1111, а затем записано как 1110. Последовательные записи в этот клев могут изменить его на 1010, затем на 0010 и, наконец, на 0000. По сути, стирание устанавливает все биты равными 1, а программирование может очищать только биты равными ^0. Некоторые файловые системы, предназначенные для флэш-устройств, используют эту возможность перезаписи, например Yaffs1, для представления метаданных сектора. Другие файловые системы flash, такие какYAFFS2, никогда не используйте эту возможность "перезаписи"—они делают много дополнительной работы, чтобы соответствовать "правилу записи один раз".
Хотя структуры данных во флэш-памяти не могут быть обновлены совершенно общими способами, это позволяет "удалить" элементы, пометив их как недействительные. Этот метод может потребоваться изменить для многоуровневых сотовых устройств, где одна ячейка памяти содержит более одного бита.
Обычные флэш-устройства, такие как USB-флешки и карты памяти, обеспечивают только интерфейс блочного уровня, или уровень трансляции flash translation layer (FTL), который каждый раз записывает данные в другую ячейку для выравнивания износа устройства. Это предотвращает инкрементную запись внутри блока, однако это помогает устройству преждевременно изнашиваться из-за интенсивных шаблонов записи.