Флэш-память в качестве оперативной памяти[править]
По состоянию на 2012 год[обновление] предпринимаются попытки использовать флэш-память в качестве основной компьютерной памяти DRAM.
Архивное или долгосрочное хранение[править]
Транзисторы с плавающим затвором во флэш-накопителе удерживают заряд, который представляет данные. Этот заряд постепенно просачивается с течением времени, приводя к накоплению логических ошибок, также известных как "битная гниль" или "битное затухание".[161]
Хранение данных[править]
Неясно, как долго данные на флэш-памяти будут сохраняться в архивных условиях (т. Е. При благоприятной температуре и влажности с нечастым доступом с профилактической перезаписью или без нее). Спецификации микроконтроллеров Atmel на основе флэш-памяти "ATmega" обычно обещают срок хранения 20 лет при 85 °C (185 °F) и 100 лет при 25 °C (77 °F) [162].
Диапазон хранения варьируется в зависимости от типа и модели флэш-памяти. При питании и холостом ходе заряд транзисторов, содержащих данные, регулярно обновляется встроенным ПО флэш-накопителя.[161] Способность сохранять данные варьируется в зависимости от устройств флэш-памяти из-за различий в микропрограммном обеспечении, избыточности данных и алгоритмах исправления ошибок.[163]
В статье из CMU в 2015 году говорится: "Современные флэш-устройства, которые не требуют обновления вспышки, имеют типичный возраст хранения 1 год при комнатной температуре". И это время удерживания экспоненциально уменьшается с повышением температуры. Это явление может быть смоделировано уравнением Аррениуса[164][165].
Конфигурация FPGA[править]
Некоторые ПЛИС основаны на ячейках конфигурации flash, которые используются непосредственно в качестве (программируемых) переключателей для соединения внутренних элементов вместе, используя тот же тип транзистора с плавающим затвором, что и ячейки хранения флэш-данных в устройствах хранения данных[150].
Промышленность[править]
См. Также: Полупроводниковая промышленность
Один из источников утверждает, что в 2008 году объем производства и продаж флэш-памяти составил около 9,1 миллиарда долларов США. По другим данным, в 2006 году объем рынка флэш-памяти составлял более 20 миллиардов долларов США, что составляло более восьми процентов от общего объема рынка полупроводников и более 34 процентов от общего объема рынка полупроводниковой памяти.[166] В 2012 году рынок оценивался в 26,8 миллиарда долларов.[167] Производство чипа флэш-памяти может занять до 10 недель[168].
Производители[править]
Основные статьи: Список производителей контроллеров флэш - памяти и Список производителей твердотельных накопителей
Ниже приведены крупнейшие производители флэш-памяти NAND по состоянию на первый квартал 2019 года[169].
Samsung Electronics – 34,9%
Киоксия – 18,1%
Western Digital Corporation – 14%
Микронная технология – 13,5%
SK Hynix – 10.3%
Intel – 8.7%
Поставки[править]
См. Также: Электронная промышленность и количество транзисторов
Do'stlaringiz bilan baham: |