Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

Стандартизация[править]
Группа под названием Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI) разработала стандартизированный низкоуровневый интерфейс для флэш-чипов NAND. Это обеспечивает совместимость между соответствующими устройствами NAND от разных поставщиков. Спецификация ONFI версии 1.0^[99] была выпущена 28 декабря 2006 года. Он уточняет:

• 
  Стандартный физический интерфейс (распиновка) для NAND flash в пакетах TSOP-48, WSOP-48, LGA-52 и BGA-63
  
• 
  Стандартный набор команд для чтения, записи и стирания флэш-чипов NAND
  
• 
  Механизм самоидентификации (сравнимый с функцией обнаружения последовательного присутствия модулей памяти SDRAM)
  

Группа ONFI поддерживается крупными производителями флэш-памяти NAND, включая Hynix, Intel, Micron Technology и Numonyx, а также крупными производителями устройств, использующих флэш-чипы NAND.^[100]
Два крупных производителя флэш-устройств, Toshiba и Samsung, решили использовать интерфейс собственной разработки, известный как Toggle Mode (а теперь Toggle V2.0). Этот интерфейс не совместим со спецификацией ONFI. В результате продукт, разработанный для устройств одного поставщика, может оказаться неспособным использовать устройства другого поставщика^[101].
Группа поставщиков, включая Intel, Dell и Microsoft, сформировала рабочую группу Non-Volatile Memory Host Controller Interface (NVMHCI). ^[102] Целью группы является предоставление стандартных программных и аппаратных программных интерфейсов для подсистем энергонезависимой памяти, включая устройство "flash cache", подключенное к шине PCI Express.
Различие между NOR и NAND flash[править]
NOR и NAND flash отличаются двумя важными способами:

• 
  Соединения отдельных ячеек памяти различны^.
  
• 
  Интерфейс, предоставляемый для чтения и записи в память, отличается; NOR допускает произвольный доступ, в то время как NAND допускает только доступ к странице.^[103]
  

NOR и NAND flash получили свои названия от структуры взаимосвязей между ячейками памяти. В NOR flash ячейки соединяются параллельно битовым линиям, что позволяет считывать и программировать ячейки индивидуально. Параллельное соединение ячеек напоминает параллельное соединение транзисторов в КМОП-затворе NOR. В NAND flash ячейки соединены последовательно, напоминая КМОП-затвор NAND. Последовательные соединения потребляют меньше места, чем параллельные, что снижает стоимость флэш-памяти NAND. Сам по себе он не препятствует индивидуальному считыванию и программированию NAND-клеток.^{[цитата необходима]}
Каждая ячейка NOR flash больше ячейки NAND flash – 10 ^F2 против 4 ^F2 – даже при использовании точно такого же полупроводникового устройства, и поэтому каждый транзистор, контакт и ^{т. Д. Имеют Точно такой же размер, потому что ячейки NOR flash требуют отдельного металлического контакта для каждой ячейки.}
Из-за последовательного подключения и удаления контактов wordline большая сетка ячеек флэш-памяти NAND будет занимать, возможно, только 60% площади эквивалентных ячеек NOR^[105] (при условии того же разрешения КМОП-процесса, например, 130 нм, 90 нм или 65 нм). Дизайнеры NAND flash поняли, что площадь чипа NAND и, следовательно, его стоимость могут быть дополнительно уменьшены за счет удаления внешнего адреса и схемы шины данных. Вместо этого внешние устройства могли бы взаимодействовать с NAND flash через регистры команд и данных с последовательным доступом, которые внутренне извлекали бы и выводили необходимые данные. Такой конструктивный выбор сделал невозможным произвольный доступ к флэш-памяти NAND, но целью NAND flash была замена механических жестких дисков, а не замена ПЗУ.