Raqamli mikrosxemalar qo‘llanilgan qurilmalar mikrosxemalar. Integral mikrosxemalar qanday yasaladi va mikrosxemalar qanday materiallardan yasalgan?

6-QADAM. DIFFUZIYA (ION IMPLANTATSIYASI)

Eslatib o'tamiz, kremniy substratda kerakli naqshni shakllantirishning oldingi jarayoni donor yoki aktseptor nopokligini kiritish orqali kerakli joylarda yarimo'tkazgichli tuzilmalarni yaratish uchun zarur bo'lgan. Nopoklik kiritish jarayoni diffuziya yordamida amalga oshiriladi (9-rasm) - nopoklik atomlarini kremniy kristalli panjarasiga bir xil kiritish. Odatda n-turdagi yarimo'tkazgich olish uchun surma, mishyak yoki fosfor ishlatiladi. P tipidagi yarimo'tkazgichni olish uchun bor, galliy yoki alyuminiy nopoklik sifatida ishlatiladi.

Dopantning diffuziya jarayoni uchun ion implantatsiyasi qo'llaniladi. Implantatsiya jarayoni shundan iboratki, kerakli nopoklik ionlari yuqori voltli tezlatgichdan "otilib" chiqadi va etarli energiyaga ega bo'lib, kremniyning sirt qatlamlariga kirib boradi.

Shunday qilib, ion implantatsiyasi bosqichi oxirida yarimo'tkazgich strukturasining kerakli qatlami hosil bo'ladi. Shu bilan birga, mikroprotsessorlar bir necha shunday qatlamlarga ega bo'lishi mumkin. Keyingi qatlamni yaratish uchun olingan diagrammada qo'shimcha ingichka silikon dioksid qatlami o'stiriladi. Shundan so'ng, polikristalli kremniy qatlami va boshqa fotorezist qatlami qo'llaniladi. Ultraviyole nurlanish ikkinchi niqobdan o'tadi va fotosurat qatlamidagi mos naqshni ta'kidlaydi. Shundan so'ng fotosurat qatlamini eritish bosqichlari, o'yma va ion implantatsiyasi.