Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

3.3- ж а д в а л

Парам	УБ сх.	УЭ сх.	УК сх.
Кu	350	—350	0,997
Кu^’	101	—290	0,996
КI	— 0,98	49	—50
Rкир(Ω)	250	2,3·10^3	8,3·10^5
Rчиқ(Ω)	623·10^3	1,7·10^5	200
^КР	310	2,8·10^3	8,3

Ундан қуйидагиларни кўрнш мумкин:

1. 
   УБ схемада қувват кучланиш ҳисобига кучайти- рилса, УҚ схемада у ток ҳисобига кучайтирилади.
   
2. 
   Эиг куп кучайтириш УЭ схемада ҳосил бўлади.
   
3. 
   УЭ схемада кучланиш бўйича, УБ ва УК схема- ларда эса, ток бўйнча л га тенг фаза силжишн ҳосил
   

бўлади.

4. 
   УБ ва УЭ схемаларнинг кириш қаршилиги кичик, чиқиш қаршилнгн эса, катта бўлади. Аксинча, УК схе- маиинг кириш қаршнлиги катта, чиқиш қаршилиги ки- чикдир.
   
5. 
   УЭ схсмапинг кириш царшилиги УБ схеманикидан катта бўлиб, чиқиш қаршилиги эса, кичикдир.
   

Шундай қилиб, кучлаииш ва қувватни кучайтириш учун транзисторнинг УЭ уланиш схемаси мақсадга му- вофикднр.
3.9. Униполяр транзисторлар


Исток билан сток оралигидаги қатлам канал деб юритиладн. Унинг ўтказувчанлиги п ёки р турда бўли- ши мумкин. Агар асос ярим ўтказгич п—турли ўтказув. чанликка эга бўлса, затвор қатлами р — турли ярим ўтказгич бўлади. Аксинча, у р —турли бўлса, затвор п — турлн ўтказувчанликли ярим ўтказгич материали- дан қнлинади. 3.22- расмда кўрсатилган транзнсторда асос қатлам п — турлн ярим ўтказгнчдан иборат. Шу­нинг учун стокка истокка нисбатан мусбат кучланиш берилса, асосий ток ташувчилар, яъни электронлар стокка томон, агар у манфий бўлса, истокка томон ҳа- ракат кплади. Затворга кучланиш ҳамма вақт тескарн уланишда бернлади, чункн р — п ўтиш ёпилиши керак. Кўрилаётан холда затворга истокка нисбатан манфийкучланиш бернлган. Шунинг учун р— п ўтиш қатлами кенгайиб, канални торайтиради, яъни Е₃ манба кучла­нишининг ўзгариши ҳисобига каналнинг кесими ўзгартирилади. Бу ундан ўтадиган электрон оқимининг миқдори ўзгаришига, яъни сток токининг бошқарилишига олиб келади.
Униполяр транзисторларнинг яна бир тури затвори изоляцияланган (ҳимояланган) транзистор деб юрити- лади. Уларда металлдан ясалган затвор асос қатлам — каналдан диэлектрик модда билан ажратилган бўлади. Шунинг учун бундай транзисторлар яна МДП (ме­талл— диэлектрик — полупроводник) турдаги униполяр транзисторлар деб ҳам аталади. Кўпинча диэлектрик сифатида оксид материаллар ишлатнлади (масалан, кремний оксиди Si₂О₂). Бу холда транзистор МОП (Ме­таллоксид — полупроводник) турдаги транзистор дейи­лади.
МДП — турдаги тран­зисторнинг тузилиши 3.23- расмда кўрсатилган.