Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

3.32-расм. Транзисторни диод сифатида улаш.


Улар бир-биридан параметрлари билан фарқ қилади. Масалан, 3.32-расмдаги а — уланишда диоднинг очиқ ҳолатдан ёниқ ҳолатга ўтиш вақти етарлича қисқа бўлса, б — уланишда у катта бўлади. Бундан ташқари, бу уланиш турларининг сиғими энг кичикдир.
Резисторлар. ИМСда резисторлар биполяр транзисторнинг база, коллектор ёки эмиттер қатламлари таркибида юзага келади. Бунда диффузия усулидан фойдаланилгани учун улар диффузион резисторлар деб аталади. Диффузион резисторлар ярим ўтказгич ҳажмидан р —п ўтишлар ёрдамида ҳимоя қилиб ажратилади.
Диффузион резисторнинг қаршилиги резистор вази- фасини бажарадиган соҳанинг геометрик ўлчамларига ва ундаги қотишманинг концентрациясига боғлиқ. Р— қатлам, яъни транзисторнинг базаси асосида яратилган резисторларнинг қаршилиги бир неча 10 килоомни таш­кил қилса, эмиттер қатлами асосида яратилган резис­торларнинг қаршилиги кичик бўлади. Катта қаршиликли резисторлар ион имплантацияси (кўчирилиши) усу­лида тайёрланади.
Резисторлар МОП—таркибли униполяр транзистор асосида ҳам яратилади. Бунда резистор вазифасини транзисторнинг канали бажаради. Қаршилигининг кат- талиги эса, затвор кучланиши ёрдамида бошқарилади. Бошқарувчи р — п ўтишли транзистор асосида ясала- диган резисторлар пинч— резистор деб аталади.
Конденсаторлар. ИМСларда конденсаторлар махсус технология асосида ясалмайди. Улар транзисторлар ва диффузион резисторларни ясаш жараёнида ҳосил қи- линади. Бунда р — п ўтишга тескари йўналишда кучла­ниш улангандаги тўсиқ қатламнинг сиғими конденсатор вазифасини бажаради. Улар диффузион конденсатор деб аталади. Бундай конденсаторларнинг диэлектриги бўлиб р — п ўтишнинг ҳажмий зарядлар соҳаси хизмат қилади.
Биполяр транзисторларда конденсатор ҳосил қилишнинг 3 хил усули мавжуд: эмиттер — база ўтиши, кол­лектор— база ўтиши ва коллектор — таглик («ер») оралиғи.
Эмиттер — база ўтиши ҳисобига ҳосил қилинган комдеисаторнинг солиштирма сиғими энг катта (1500 пф/мм² гача) бўлиб, бузилиш кучланиши энг ки­чик (бирнеча вольт) бўлади. Коллектор — база ўтишидан фойдаланилганда эса, конденсаторнинг сиғими 5— 6 марта кичраяди, лекин бузилиш кучланиши шунча мартага ортади. Бу икки вариантда тайёрланган конденсаторларнинг асосий камчилиги — конденсатор қопламалари билан таглик («ер») орасида зарарли сиғимнинг ҳосил бўлишидир. Бу камчилик конденсаторларнинг учинчи турида йўқотилади, чунки конденсаторнинг II қопламаси бўлиб таглик «ер» хизмат қилади.
Диффузион конденсаторлар ўзгармас ёки ўзгарувчан бўлиши мумкин. 'Конденсатор сиғими ўзгармас бўлиши учун р — п ўтишга бериладиган тескари кучланиш доимий бўлиши лозим. Агар бу кучланиш ўзгарувчан бўлса, сиғим ҳам ўзгарувчан бўлади. Лекин р—п ўтиш сиғими чизиқли бўлмаган катталик бўлгани учун унинг ўзгариши кучланишга мутаносиб бўлмайди (Тескари кучланиш 1÷10 В оралиқда ўзгарганда конденсатор сиғими 2:2,5 марта ўзгаради).
МОП таркибли униполяр транзисторларда ҳам кон­денсатор ҳосил қилинади. Лекин уларнинг сиғими кичик (500 пф гача) бўлади.
Иноуктивлик. Ярим ўтказгичли ИМСларда индук­тнвлик ғалтаги ва трансформаторлар бирор техно­логия асосида ҳосил қилинмайди. Шунинг учун улар транзистор, резистор ва конденсаторларнинг бирор тур уланиши ҳисобига эк­вивалент элемент сифатида олинади. Масалан, 3.33- расмда эквивалент индуктнв­лик ҳосил қилиш схемаларидан бири келтирилган.