Радиоэлектроника асослари муҳаррир — Қ. Азимов

5.9- расм. Транзистор иш режимининг муҳит ҳароратига боғлиқлиги.

Термостабиллаш занжири фақат ишчи нуқтанинг ўрнини сақланди, параметрлар ўзгаришига эса, таъсир этмайди. Транзисторнннг стабил иш режимини ҳосил қнлишнинг усуллари жуда кўп. Шулардан бири база потенциалини кучланиш бўлгичи орқали олишдир (5.10а-расм).

5.10- расм. Транзисторнинг иш режимини ҳоснл қилиш
турлари.

Унда U_бэ кучланишга база токининг таъсирини йўқотиш учун R₁ ва R₂ резисторларнннг катталигини I_g>I_б шарт бажариладиган қилиб танлаш керак. Ана шунда ташқи ҳарорат ўзгарса ҳам, транзистор алмаш- тирилганда ҳам база потенциали ўзгаришсиз қолади. Лекин I_g>>I_б тенгсизлик бажарилиши учун R₁R₂ кучла­ниш булгичининг қаршилигини кичрайтириш керак. Бунда схеманинг кириш қаршилиги кичрайиб, манба то­кининг сарф бўлиши ортади. Шунинг учун иш режим танлашнинг бу усули ҳам рационал эмас.

Транзистор иш режими стабил бўлишини таъминлашнинг энг кенг тарқалган усулларидан бири эмиттер занжирига R_э ва С_э элементларни улашдир (5.106-расм). Унда кучланиш бўлгичининг қаршилигини камайтнриш талаб қилинмайди.
Эмиттер-база оралиғининг U_бэ кучланиши фақат U_б база кучланиши билан эмас, балки эмиттер кучла- ниши билан ҳам аниқланади ва катталиги R₁, R₂, R_э резисторларга боғлиқ бўлади. Кириш сигналининг таъсири йўқ вақтда Е_к манба таъснрида транзистор электродларида тегишли ўзгармас кучланишлар ҳосил бўлади ва коллектор занжири­дан I_ко, база занжиридан I_бо, эмиттер занжиридан I_эо, узгармас токлар ўтиб туради. Шунда ташқи муҳит ҳарорати ўзгарса, масалан, ҳарорат кўтарилса, бу токлар ҳам ортади. Натижада база-ер, эмиттер-ер ва коллектор-ер оралиғидаги кучланишлар ўзгаради. Лекин транзистор учун бу кучланишлар ўзгаришининг абсолют қиймати эмас, балки нисбий қиймати катта ахамиятга эга. Шунинг учун R₁ R₂ кучланиш бўлгичининг қаршилиги кичик бўлса, база токининг ∆I_бо ўзгариши база-ер кучланишига кам таъсир этади (∆U_бо=0). Ле­кин эмиттер токининг ўзгариши R_э резисторда катта кучланиш тушуви хосил қилади ва у тескари ишора билан базага узатилади. Бу эмиттер р — п ўтишининг опилишига, яъни эмиттер токининг камайишига олиб коладн. Натижада коллектор токи стабилланади. Бун­да R_э резисторнинг қаршилиги қанча катта бўлса, унинг стабиллаш таъсири шунча кучли бўлади. Лекин R_э нинг ортишн Е_к манба энергиясипинг сарф бўлишини орт- тиради. R₁ ва R₂ резисторларнинг қаршилигини ҳам жуда кичик қилиб олиш мумкин эмас. Чунки у кучайтир­гичнинг кнриш қаршилигини шунтлаб, яна энергия сарф бўлишини ортншига олиб келади. Одатда R_t >>10R_кир қнлнб олинади.
Умуман термостабиллаш занжирининг элементла- рини қуйидаги муносабатлар асосида танлаш мумкин:

(5.8)
Бунда —кириш қаршилигига боғлиқ коэффициент,
—эквивалент кириш қаршилиги.
Умумин эмиттерли схема учун m = 2÷5 қилиб оли­нади.
Кучайтиргичнинг киришига сигнал берилганда эмит­тер токининг ўзгарувчан ташкил этувчиси ҳосил бўлади. Унинг R резиетордаги потенциал тушувидан су­тулит учун эмиттерга С_э конденсатор киритилади: