Qattiq jismlar

2.1 - rasm. Si da elektron qobiqlarning to’lishi va Si kristalining kovalent bog’lanishi.

Shuning uchun bunday bog’lanishlarni s¹p³ gibrid bog’lanishlar deb atash qabul qilingan. Yarim o’tkazgich materiallarida kovalent s¹p³ bog’lanish mavjud bo’lishi uchun kristall shunday atomlaridan tashkil topgan bo’lishi kerakki, unda kristallni tashkil etgan 2 ta qo’shni atom valent elektronlari yig’indisi 8 ga teng bo’lishi kerak. Bunday kristallar Si(s²p²), Ge(s²p²), Sn(s²p²), C(s²p²) yoki III- guruh elementlari Ga, In(s²p¹) va V- guruh elementlari As, Sb,P(s²p³), bunda bitta elektron V- guruh to’la atomlaridan III- guruh atomlariga o’tadi va natijada III va V- guruh atom elektronlar soni 4 tadan ya’ni s¹p³ bo’ladi yoki II- guruh elementlari Gd, Zn(s²p²) va VI- guruh elementlari S,Se,Te(s²p⁴), bu holatda VI- guruh elementlari (s²p⁴) dan 2 ta elektron to’laligicha II- guruh elementlari (s²) ga o’tadi va natijada har ikkala atomga ham s¹p³ holatlari vujudga keladi hamda s¹p³ tetroedrik kovalent bog’lanish hosil qiladi.

2.3-§ Yarim o’tkazgich materiallarida kristall panjara tuzilishi

Yarim o’tkazgich materiallar kristall panjara tuzilishi asosan 4 xil tuzilishga olmos, sinkovoy obmanka, vyursit va osh tuzi ko’rinishida uchraydi. Almaz kristall panjara− bu tomonlari markazlashgan ikkita kub elementar panjaraning bir- biriga nisbatan hajm dioganali chorak qismi bo’yicha siljiganda hosil bo’ladi.