Практикум с использованием миниатюрной электротехнической лаборатории мэл, компьютерного моделирования

Вопросы для самопроверки и подготовки к лабораторной работе

1. 
   Определение полупроводникового диода.
   

сти.


зации.

2. 
   Электронно-дырочный переход, понятие электронной и дырочной проводимо-
   

3. 
   Принцип работы p-n -перехода.
   
4. 
   Уравнения для тока в открытом p-n -переходе.
   
5. 
   Вольтамперная характеристика p-n -перехода.
   
6. 
   Понятие лавинного пробоя p-n -перехода и использование этого явления.
   
7. 
   Структура, назначение и характеристики полупроводниковых диодов.
   
8. 
   Назначение и принцип работы стабилитрона.
   
9. 
   Вольтамперная характеристика стабилитрона.
   
10. 
    Расчет дифференциального сопротивления стабилитрона в режиме стабили-
    

11. 
    Определение, устройство и принцип работы тиристора.
    
12. 
    Вольтамперные характеристики тиристора с катодным управлением.
    

3. 
   Лабораторная работа № 13
   

Исследование, полупроводниковых диодов, стабилитронов и тиристоров
Цель работы. Исследование вольтамперных характеристик и типовых схем включения выпрямительного диода, стабилитрона и тиристора.
Описание схемы измерений на стенде МЭЛ
Схема исследования диода VD1 показана на рис.10.4а. Напряжение на диод по- дано через резистор R₁₀ = 100 Ом от источника постоянного напряжения Е₁ и регули- руется как самим источником, так и переменным резистором R₁₁. Непосредственно на аноде диода напряжение измеряется вольтметром V1. Милливольтметром V2 на сопро- тивлении нагрузки R₁₀ = 100 Ом измеряется падение напряжения. Это позволяет рас- считать ток через диод.
Рис.10.4. Схемы исследований диода (а), стабилитрона (б) и тиристора (в)
При исследовании стабилитрона VD2 его надо включить вместо диода к клем- мам 1А и 1Б схемы рис.10.4а (катод подключать к 1А).
При исследовании тиристора VD3 его подключают к клеммам 1А, 1Б схемы рис.10.4.а и управляющий электрод УЭ через сопротивление R₉= 2 кОм соединяют со вторым источником напряжения Е₂.