С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

р-п
утиш ёки шоттки тусиги олинган структуралар 
Кулланилади.
Электрон концентрацияси 1017 см-3 булган л-тип 
CdTe 
да заряд ташувчилар диффузион узунлигини улчаш учун
247

---

НЙмуна сиртига шоттки тусиги олинган ва шоттки туси- 
гидан 0,1-f-14 мкм масофада энергияси 5 : 25 кэВ булган 
электрон нури билан асосий булмаган заряд ташувчилар 
(кавак) уйготилган. Шоттки тусигига 0,1 В дан ортик, 
булмаган кучланиш уланган. Бу диффузион узунликни 
0,4 4- 3 мкм ораликда улчаш имконини беради. Электрон 
зонди усулининг кенг кулланишини чекловчи бир неча 
омиллари мавжуд булиб, улардан мухимлари сифатида 
куйидагиларни курсатиш мумкин:
1. Электрон зонди билан номувозанаг асосий булма­
ган заряд ташувчилар генерацияланиш сохаси энининг 
чекли булиши. Электронни 5-г 30 кВ кучланиш билан тез- 
лантрилганда заряд ташувчилар генерацияланиш сохаси
0,1 дан то 2,1 мкм гача узгарган. Электрон зонди усули, 
ёруглик зонди усули каби, 
x>L
да яхши натижалар бера­
ди. Бу шартни юпца эпитаксиал кдтламларда каноатлан - 
гириш кийин, шунинг учун бу холда электрон зондининг 
кузгалувчан усули кулланилмайди.
2. Кенг такикданган зонали яримутказгичларни, маса­
лан, кремнийни сирт сох.асида маълум бир шароитда кам­
багаллашган ёки инверсион кдтламнинг хосил булиши. Бу 
холда хажмий заряд сохасининг электр майдони ва 
р-п 
утишга, шоттки тусигига уланган ташки майдон сирт буйи­
ча таркдлиши мумкин ва асосий булмаган заряд ташувчи­
ларнинг дрейф ташкил этувчисини юзага келтиради, на- 
гижада улчанаётган диффузион узунликнинг ортишига олиб 
келади. Бундан ташкдри, 
р-п
утишнинг йигувчи юзаси- 
нинг ортишига ва, нихоят хисоблашда хатоликнинг оши- 
шига олиб келади. Атроф мухитни узгартириб, сиртий по - 
тенциални бошк,ариш оркали бу чекловчи омилнинг таъ- 
сирини йукдгиш мумкин. Намуна сиртида “ясси зона” ёки 
заряд ташувчилар билан кучсиз бойиган режими амалга 
оширилиши максадга мувофик булади.
3. Рекомбинацион нурланиш кучли намоён буладиган 
тугри зонали яримутказгичларда асосий булмаган заряд 
ташувчиларнинг коллектори як,инида рекомбинацион нур­
ланиш фотонининг кбайта ютилиши.
Бу бир неча диффузион узунликдаги (бирламчи асо­
сий булмаган заряд ташувчилар томонидан) юзага келган 
кичик коллектор сигналидан аник^ланадиган диффузион 
узунлик к^ийматининг ортишига олиб келади (4.19в-расм).
248

---

Кузгалувчан, ^аракатланувчи электрон зондини олишда 
растрли электрон микроскопнинг исталган типи ишла- 
гилиши мумкин.
4.8-§. 
Р-п
утишнинг ва Шоттки гусишнинг к, и с ка 
туташув фототокини улчашга асосланган диффузион 
узунликни аннкдаш усули
Бу усул билан олдин 
р-п
утиш (эпитаксиал структура)- 
нинг таркибий кисми булмиш эпитаксиал к,атламда за­
ряд ташувчиларнинг диффузион узунлигини улчашни 
курайлик.
Аникдик киритиш учун я-типдаги тагликка калинли- 
ги 
W
булган /г-тип даги эпитаксиал катлам устирилган ва 
намунани эпитаксиал котлам томонидан 
х=0
текислиги 
фотон энергияси 
hw>Eg
булган ёруглик окими билан ёри- 
тилган булсин деб олайлик. Умуман олганда, ёруглик 
окими эпитаксиал кдтламда, 
р-п
утишнинг хажмий заряд 
сохасида, тагликда номувозанат электрон-кавак жуфтла- 
рини генерациялайди ва фототокка \ар бир со\адаги но­
мувозанат асосий булмаган заряд ташувчилар уз х,иссала- 
рини кушадилар. Шунинг учун 
p-тип
эпитаксиал катлам 
учун асосий булмаган номувозанат заряд ташувчилар 
(электрон) концентрациясининг таксимоти 
Ап
ни ва у 
билан боишк фототок ифодасини тахлил килайлик. Р-тип 
эпитаксиал катламда рекомбинацион нурланишни ва уни 
кайта намунада ютилишини х,исобга олмаганда, номуво­
занат электроннинг концентрацияси