А. Тешабаев, С. Зайнабидинов, И. Каримов, С. Власов, В. Абдуазимов

 
5.3. Сиртий рекомбинация тезлиги s ни ўлчашнинг 
тажрибавий усуллари 
 
Бу 
усуллар 
Г.П.Пека 
нашр 
қилган 
“Физика 
поверхности 
полупроводников” (из-во Киевского университета, 1967) ўқув қўлланма 
китобида анча батафсил тавсифланган. Биз шу усулларнинг асосий таърифи 
ва берадиган натижалари ҳақида қисқача маълумот бериб ўтамиз. Сиртий 
потенциалнинг қийматлари турли бўлган ҳолларда сиртий рекомбинация 
тезлиги s ни ўлчаш сиртий сатҳларнинг рекомбинацион параметрларини 
аниқлаш имкониятини беришлигини кўрдик. 
s (Y
s
) тажрибавий боғланишни олиш учун молекулалар адсорбцияси 
ёки ташқи электрик майдон ёрдамида зоналар эгилишини ўзгартириб 
ўлчашлар бажариш керак. Агар майдон эффектининг тажрибавий эгри 
чизиғини назарияси билан солиштириб зоналар эгилишининг майдонга 
боғланишини топилса, бу ҳолда ундан s (Y
s
) боғланишини топиш қийин эмас. 
 
5.3.1. s ни импульсли усуллар ёрдамида эффектив яшаш 
вақти ўлчашларидан аниқлаш 
 
Юпқа намуналарда эффектив яшаш вақти ва сиртий рекомбинация тезлиги 
s орасидаги муносабат. 
Агар намуна L баландликли ва W·d=S асосли тўғри бурчакли 
параеллепипед шаклида бўлса, бу ҳолда s<<2D/d шарт бажарилса, қуйидаги 
муносабат адолатли бўлади: 
~
2
1
1
d
s
t
b
f



(5.22) 
бунда
,
1
~





d
d
,
L
d


w
d


(5.23) 
D - диффузия коэффиценти, τ
f
-эффектив яшаш вақти, τ
b
-ҳажмий яшаш 
вақти. (5.22) ифодага асосан, s ни ўлчаш τ
f
ва τ
b 
ни ўлчашдан иборат бўлади.