Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
422 
РАСЧЕТ ПРОБЕГОВ ИОНОВ Cr
+
 и Ni
+
 В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ 
 
Э.У. Арзикулов., Т.С. Шарафова., М.Норжигитова. 
Самаркадский государственный университет, Самарканд, Узбекистан
E-mail: [e-mail] 
Анализ научных публикаций последних лет показало, что центр 
тяжести экспериментальных исследований посвященных процессов ионной 
имплантации в полупроводниках сместился от классически элементарных 
полупроводников в сторону полупроводниковых соединений. В связи с этим 
представляется большой научно практический интерес расчет пробеги ионов 
в полупроводниковых соединениях. В настоящее время существует ряд 
программных пакетов (например, TRIM, SRIM, KING и др.) позволяющие 
проведение расчетов пути пробега ионов в материалах, получение 
достоверных данных о пробегах ионов в материалах является 
проблематичном. Это связано в первую очередь сложностью процесса 
взаимодействия ионов с твердым телом. Ещё в мире не существует ни одна 
программа или методика расчета, позволяющая точно определить пути 
пробегов ионов. Поэтому исследование в этом направлении будет 
продолжаться.
При имплантации переходных элементов или при комбинированном 
легировании (Fe
+
, 
Ni
+
), 
(Cr
+
, 
O
+
) и т.д., магнитные свойства 
полупроводниковых материалов существенно изменяются. В частности, в 
работе [1] обнаружено, что при имплантации ионов Mg
+
или Fe
+
в карбид 
кремнии при температуре 250 К появляются ферромагнитные свойства. 
Поэтому исследования процессов упругих и неупругих потери энергии, а 
также пробегов и распределения имплантированных ионов переходных 
элементов важно для целенаправленного изменения свойств материала. 
В настоящей работе рассчитаны упругие и неупругие потери энергии, а 
также пробеги ионов Cr
+
и Ni
+
имплантированных в карбид кремнии. 
Средний пробег иона 
R
можно определить по формуле
,
max
0















E
e
n
dx
dE
dx
dE
dE
R
(1)
где
E
M
M
M
M
E
2
2
1
2
1
max
)
(
4


Упругие 
n
dx
dE






и неупругие 
e
dx
dE






потери энергии ионов Cr
+
и Ni
+
в SiC 
определялись по формулам, приведенным в [2], а пробеги ионов рассчитаны 
численным методом по формуле (1).
Расчеты сопоставлялись результатами, рассчитанными по теорию 
Линдхарда и др. [3]. При низких энергиях (Е

10 кэВ) пробеги ионов 

---