Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
424 
меняются также глубина и эффективность образования вторичных 
электронов. Поэтому можно полагать, что увеличение коэффициента ВЭЭ и 
фотоэлектронов при уменьшении 

в основном обусловлено увеличением 
зоны выхода электронов. 
Таблица 
Зависимости зоны выхода ИВЭ от значений 

для CdTe 
Образец 

Ba
, 
монослой 

, эВ 

*
, эВ 
E
g
, эВ 

/
, Å 

НОЭ
, Å 
CdTe 
0 
4,2 
0 
1,45 
120
250 
0,5 
3 
1,2 
1,45 
– 
250 
1,0 
2,2 
2,0 
1,45 
150 
250 
*
– изменение величины 

, относительно уровня вакуума 
Из полученных результатов следует, что с уменьшением 

зона выхода 

/
монотонно увеличивается. Предполагая, что эта зависимость линейная то 
можно оценить значение 

/
при 

= 0 (Δ

= – 4,2 эВ), который составляет ~ 
170 – 180 Å (рис. 1). При этом ИВЭ выходят на уровень дна зоны 
проводимости.
Известно, что зависимость глубины выхода электронов от энергии 
электронов (фотонов) при 

= 50 – 100 Å проходит через минимум, т.е. при 
энергиях меньше, чем 50 – 100 эВ с уменьшением энергии Е
р
и h

глубина 
выхода ИВЭ и фотоэлектронов вновь увеличивается. В качестве примера на 
рис. 2 приведена зависимость интенсивности фототока 
I
ф
от d, измеренная 
при h

= 10,8 эВ для чистого CdTe и CdTe с пленкой Ва толщиной ~ 1 
монослой. Видно, что значение 
I
ф
начиная с d = 60 Å практически не 
меняется, т.е. глубина выхода фотоэлектронов 

= 60 Å. 
Рис. 1. Зависимость глубины зоны выхода ИВЭ от уменьшения работы выхода CdTe/Mo 
(111). 
100 
150 
200 

/
, Å
0 
1,0 
2,0 
3,0 

, эВ 
 

---