Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
421 
имеет такой же вид, как в отсутствии освещения, но при этом происходит 
следующие существенные изменения: Значение температуры при которой 
наблюдается максимум ОМС, смещается в сторону высоких температурах, а 
его значение уменьшается до 16 %. Температурная область существования 
ОМС существенно сужается. Эта закономерность сохраняется с повышением 
интенсивности освещения, начиная с освещенности более 50 люкс, во всей 
исследуемой температурной области вместо ОМС имеет место только 
небольшое ПМС, значение которого почти не зависит от температуры. Здесь 
также следует выделить эффект инверсии знака МС при освещении. 
%
,



1
,
1000


T
-50 
-150 
-200 
-250 
-300 
1 
2 
3 
2 
4 
5 
6 
3,5 
4,5 
5,5 
3 
-100 
4 
250 
200 
150 
300 
350 
Т
, К 
5 
Рис. 2. Зависимость магнетосопротивления от температуры в образцах Si с 
F
=
E
V
+0,38 эВ при 
 Е=
100 В/см,
 
В=
2 Тл: 1 - темновая; 2 - 
I
=10 Лк; 3 -
 
40 Лк; 4 - 80 Лк; 55 - 
160 Лк. 
Таким образом, можно сказать, что кремний с нанокластерами атомов 
марганца обладает уникальными функциональными возможностями для 
современной электроники.
Литература 
1.
By Sabah K. Bux, Richard G. Blair, Pawan K. Gogna, Hohyun Lee, Gang 
Chen, Mildred S. Dresselhaus, Richard B. Kaner, and Jean-Pierre Fleurial 
Nanostructured Bulk Silicon as an Effective Thermoelectric Material. 
Advanced Functional Materials, (2009) 19, 2445–2452.
2.
Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov 
K.S., Saparniyazova Z.M., and Tachilin S.A. Transport Properties of Silicon 
Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion. Inorganic 
Materials, (2011) Vol. 47, No. 5, pp. 479-483. 
3.
Bakhadirkhanov M.K., Mavlonov G.H., Iliev X.M., Ayupov K.S., Sattarov 
O.E., Tachilin C.A. Specific Features of Magnetoresistance in 
Overcompensated Manganese Doped Silicon. Semiconductors, (2014) Vol. 
48, No. 8, pp. 986–988.
330>T>240 , T
0
=300 K 
5
0
0











 






 

T
T




240>T>170 , T
1
=300 K 
5
1
1













 






 
T
T





---