Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
418 
На 
рис.
1 
показаны 
относительные 
изменения 
удельной 
электропроводности образцов ПК I группы и II (легированных никелем при 
850 
℃)
от дозы облучения. При этом для контрольных образцов 
максимальное изменение удельной электропроводности (при 5·10
7
Rad) 
составляло (σ/σ
o
)
max
=3,5, у образцов II группы при такой же дозе облучения 
изменение удельного сопротивления не превышало 20 %.
На основе полученных результатов можно утверждать, что наличие атомов 
никеля в ПК существенно улучшает радиационную стойкость материала. 
Это свидетельствует о том, что внедренные диффузией атомы Ni изменяют 
свойства РД и увеличивают радиационную стойкость удельного 
проводимости материала. Это очень важный результат, позволяющий 
предположить, что фотоэлементы на основе ПК, предварительно 
легированного никелем, можгут иметь повышенную эффективность и 
радиационную стойкость. Полученные результаты можно объяснить 
геттерированием первичных радиационных дефектов (вакансии, между 
узельные атомы кремния) в результате которого происходят аннигиляция 
между ними. Также возможно заполнение междузеренных областей 
поликристалла атомами никеля, которые также могут быть центрами 
аннигиляции в таких материалах. 
Благодаря низкой электроактивной концентрации атомов никеля при 
легировании, исходные параметры материала практический сохраняются как 
в процессе диффузии, так и в процессе облучения. Найдено простое 
технологический решение для повышения радиационной стойкости ПК СЭ. 
Этот метод заключается в легировании таких материалов примесными 
атомами никеля. 
Список литературы
1.
Hastas N.A., et al., Microelectronics Reliability 43(1), 57 (2003).
2.
Харбек Г. Поликристаллические полупроводники. Физические 
свойства и применения, пер. с англ.(-М. Мир, 1989).
3.
Олимов Л.О. ФТП. 46 (7), 922 (2012). 
4.
Бахадирханов М.К., Исмайлов Б.К., Приборы, 6(240), 44 (2020). 
5.
Исмайлов Б.К., Камалов А.Б., Асанов Д.Ж. Приборы, 6(252), 25(2021). 
6.
Бахадырханов М.К., Исамов С.Б., Кенжаев З.Т., Ковешников С.В., 
Письма в ЖТФ., 45 (19), 3 (2019). 
7.
Бахадырханов М.К., Кенжаев З.Т., ЖТФ., 91 (6), 979 (2021). 
8.
Iliev Kh. M. et al. 5, pp. 12-14. (2011). 

---