Влияние режимов ионно-плазменного напыления на структуру и свойства износостойких покрытий

 
2.2.1 Методы сканирующей электронной микроскопии 
Одним из наиболее широко применяемых методов электронной микроско-
пии является метод растровой (сканирующей) электронной микроскопии 
(РЭМ), предназначенные для проведения исследований микро- и нано-
структуры поверхности различных образцов. Микроскопические исследования 
особенностей структуры поверхностного слоя образцов проводили с помощью 
сканирующего электронного микроскопа «JEOL JSM 5700-LV» - универсаль-
ный РЭМ (рис. 2.4) производства компании JEOL (Япония), c системой хими-

---

66 
ческого анализа EDX JED-2201 JEOL. Основные технические характеристики 
представлены в таблице 2.9. 
Рис. 2.4 - Сканирующий электронный микроскоп «JEOL JSM 5700» [148] 
Таблица 2.9 - Основные технические характеристики сканирующего элек-
тронного микроскопа «JEOL JSM 5700» 
Разрешение в режиме высокого 
вакуума 
3.0 нм (30кВ), 8.0 нм (3кВ), 15.0 (1кВ) 
Разрешение в режиме низкого ва-
куума 
4.0 нм (30кВ) 
Увеличение
От x8 до x300 000 (при 11кВ или выше) 
От x5 до x300 000 (при 10кВ или ниже) 
Ускоряющее напряжение 
От 0.5кВ до 30кВ 
Объектив 
Сверхконический объектив 
Апертура объектива 
3-х стадийная, с тонкой настройкой 
по XY 
Электрический сдвиг изображения ± 50 мкм, (WD=10 мм) 
Автоматические функции 
Фокус, яркость, контраст, стигматор 
Столик для образцов 
Эвцентрический, наклон от –10° до +90°
X: 125 мм, Y: 100 мм, Z: 5–80 мм, враще-
ние R=360° 
Моторизация перемещения 
столика 
Опциональная (2-х, 3-х и 5-ти осевая) 
Максимальный размер образца 
150 мм в диаметре 
Замена образцов 
Выдвиганием сбоку 
Компьютер 
IBM PC/AT совместимый 
Операционная система 
MS Windows XP 
Размер изображений 
640×480, 1280×960, 2560×1920 пикселей 
Формат изображений 
BMP, TIFF, JPEG 
Вакуум система 
Полностью автоматизированная 

---

67 
Компактный многоцелевой РЭМ с предельной простотой управления и вы-
соким качеством оптики. Базовое оснащение сканирующего электронного мик-
роскопа позволило изучить топологию поверхности образца, произвести одно-
временный автоматический качественный и количественный химический ана-
лиз изображения исследуемого объекта. 
В работе получены микрофотографии поверхностей исходной резины до 
напыления и модифицированной металлами Мо, W и Та до проведения испы-
таний, а также после проведения испытаний на сопротивление истиранию и
образцов после разрыва. Микроскопические исследования проводили в режиме 
высокого вакуума. Тип сигнала – вторичные электроны (SEI).
Помимо рельефного устройства поверхности проанализировали химиче-
ский состав наноструктуры, методом фотоэлектронной спектроскопии. Детек-
тирование различных веществ производили по спектрам поглощения. 
Химический состав поверхности нано- микроструктуры установили без 
пробоподготовки и нанесения проводящих покрытий, а также получили изоб-
ражение с реальной поверхности, карты и профили распределения элементов 
до и после нанесения металлического покрытия.