Ўзбекистон республикаси фанлар академияси

 
Литература:
1.
Шапошников И. Г. О поглощении звука в диэлектриках.–М.: ЖЭТФ, 1941. -Ташкент: 11. № 
2-3. С. 332-339. 
2.
Лямов В.Е. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в 
кристаллах. -М.: МГУ, 1983. 224 с. 
3.
Акустические кристаллы. / Под ред. М.П. Шаскольской. -М.: Наука, 1982. 632 с. 
СТРУКТУРНЫЙ ФАКТОР ИОННОЙ ПРОВОДИМСОТИ В КРИСТАЛЛЕ 
СУПЕРИОННОГО ПРОВОДНИКА LaF
3
. 
Г.С. Нуждов, М.В.Гафурова
Институт Ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз.
 
Интерес, проявляемый специалистами по исследованию процессов переноса в твердых 
телах ко фторпроводящим суперионным (СИ) проводникам структурного типа LaF
3
определяется широкими возможностями их применения в различных технических областях [1]. 
В рамках задач синтеза новых функциональных соединений с заданными свойствами 
представляется крайне важным изучение особенностей строения таких кристаллов для 
определения их влияния на ионную проводимость. 
Структура LаF
3
соответствует тригональной сингонии с пространственной группой 
Р
3
c1 и шестью формульными единицами в элементарной ячейке. В решетке LаF
3
имеются три 
типа структурно неэквивалентных ионов фтора – F
1
, F
2
и F
3, 
соотносящихся по числу ионов как 
12:4:2. Основными энергетическими параметрами, связанными с массовым переносом ионов в 
СИ трифторидах, являются энергия Е
а
образования дефектов типа анионная вакансия–
межузельный анион и величина потенциальных 
барьеров Е
m
, препятствующих перемещению ионов 
фтора. К настоящему времени известно [1], что в 
кристалле LаF
3
характерные для Е
а
и Е
m
значения 
энергии активации лежат в достаточно широком 
интервале 0.20–0.60 эВ. Вместе с тем вопрос о 
механизме переноса ионов на заметные расстояния 
все еще остается открытым. Вполне очевидно 
ожидать, что одним из возможных механизмов 
такого переноса должна быть миграция вакансий [2]. 
В рамках решения этого вопроса при 
помощи пакета квантово-химических программ 
МОРАС 
2016 
[3] 
был 
проведен 
процесс 
моделирования переноса вакансии. На первом этапе 
ион фтора F
1
покидал исходный узел и перемещался 

---

160 
в ближайшее междоузлие, образованное ионами F
2
, на втором - ближайший к образовавшейся в 
вакансии и расположенный в той же кристаллографической плоскости ион фтора F
1
занимал 
эту вакансию, таким образом создавая вакансию на своем "старом" месте. 
Главной особенностью проведенных расчетов был анализ опосредованного участия 
окружающих пустых междоузлий (рис.1), в результате которого было получено, что энергия 
миграции иона фтора в процессе перемещения из узла к узельной вакансии значительно ниже, 
если его путь представлен кривой линией, проходящей вблизи пустой вакансии (кривая 1), чем 
когда тот же ион движется строго по прямой линии (кривая 2). 
Таким образом, заметное число пустых междоузлий достаточно большого размера (в 
случае LaF
3
размер междоузлия приблизительно равен диаметру иона фтора) является важным 
фактором в процессе эффективного ионного переноса.