Узбекистан академия наук республики узбекистан

Рис. 1. ВАХ кремниевых солнечных элементов контрольных (I) и 
легированных никелем (II). 
Рост параметров СЭ мы связываем с формированием КПАН, находящихся в 
междоузельных и других пустотах решетки кремния. КПАН находятся преимущественно в 
приповерхностных слоях СЭ и слабо влияют на процессы в объеме. 
Показано [5], что дополнительное легирование ПАН кремниевых пластин, не 
зависимо от их типа проводимости и природы примеси, формирующей 
р–n
переход, 
является очень доступным и технологичным решением для повышения эффективности 
кремниевых СЭ.
Удобство и доступность предлагаемой технология заключается: 
– нанесение металлического слоя никеля на поверхность кремния можно 
осуществлять химическими путем (одновременно на десятки пластин с различными 
диаметрами); 
– диффузию атомов никеля можно проводить на открытом воздухе при достаточно 
низкой температуре; 
– при легировании атомов никеля практически не происходит изменений удельного 
сопротивления, что позволяет его использовать для всех видов электронных приборов на 
основе кремния. 
На основе полученных результатов можно утверждать, что введение ПАН, является 
эффективным методом геттерирования РЦ в кремнии. 
Данный метод в отличие от других существующих методов геттерирования имеет 
следующие преимущества: 
1. Метод геттерирования рекомбинационных примесей кластерами атомов никеля 
является эффективным, технологичным и дешевым методом; 
2. Введение никеля позволяет повысить эффективность кремниевого СЭ на 25÷30%; 

---

334 
3. При легировании ПАН практически не происходит изменений электрических 
параметров материала, что позволяет его использовать для увеличения ВЖННЗ в 
электронных приборах на основе кремния.
Разработанная технология легирования кремния примесными атомами никеля дает 
даже лучший результат, что означает предложенная нами технология позволяет без 
существенных изменений технологического процесса и с малым затратами создавать более 
эффективные фотоэлементы.