Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

1.3.1 Эффекты кулоновской блокады в квантовых точках 
[61]: 








F
BF
J
2
/
3
2
exp


, (1.1) 
Где B и λ – константы, J – плотность туннельного тока, F – 
напряженность электрического поля, φ – высота барьера. 
композитов на основе nc-Si/SiO
2 
посвящено значительное количество работ 
[62,63,64,65]. 
В 
работе 
[66] 
показаны 
типичные 
вольт-амперные 
характеристики таких композитов. Кривая показывает экспоненциальную 
зависимость тока от напряжения смещения. Однако замечательные 
особенности можно наблюдать на кривой (а), полученной при 30 К и кривой 
(b) при 300 К, которые демонстрируют пороговые напряжения и ступенчатые 
виды на токе.

---

30 
Рис. 1.8. Кулоновская ступенька в вольтамперных характеристиках нанокомпозитов nc-Si/ 
SiO
2
. a) – nc-Si c диаметром 4,7 нм при 30К; b) - nc-Si c диаметром 4,5 нм при 300 К; с) – 
тунелированный оксид с толщиной 1,2 нм без нанокластреров [66].
авторов [67,68,69,70,71]. Для большинства экспериментальных образцов
непротиворечивость модели, был осуществлен теоретический анализ ВАХ 
МОП структуры на основе положений работы [72]. 

---

31 
1.3.2 . Радиационная стойкость наноструктурированных кремниевых 
структур 
обзор [73,74,75,76,77]).

---

32 
Проведенные 
исследования 
в 
гетероструктурах 
Ge/Si 
с 
самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками германия 
[78], выращенными на подложках Si (001), показали, что сигнал ФЛ от