Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

---

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет 
информационных технологий, механики и оптики (НИУ ИТМО). 
 
На правах рукописи 
Хуинь Конг Ту 
ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ЛАЗЕРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ 
МОДИФИКАЦИИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМЫ 
КРЕМНИЙ – ДИОКСИД КРЕМНИЯ 
Специальность 05.27.03 - Квантовая электроника 
Диссертация на соискание ученой степени
кандидата технических наук 
Научный руководитель: доктор технических наук, профессор 
Скворцов Альберт Матвеевич 
Санкт-Петербург – 2014

---

2 
СОДЕРЖАНИЕ 
ВВЕДЕНИЕ…………………..…………………………………………………...5
ГЛАВА 1. МИКРОТРУКТУРИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОСТИ 
СИСТЕМЫ ДИОСИД КРЕМНИЯ – КРЕМНИЙ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ) ... 12
1.1. Методы нано- и микротруктурирования поверхности системы SiO
2
/Si .. 12
1.1.1. Литографические методы микро- и наноструктурирования 
поверхности. ...................................................................................................... 13
1.1.2. Электрохимический метод микроструктурирования системы 
SiO
2
/Si… ............................................................................................................. 15
1.1.3. Микроструктурирование системы SiO
2
/Si при воздействии мощного 
ионного пучка .................................................................................................... 17
1.1.4. Лазерный метод микроструктурирования поверхности кремния и 
системы SiO
2/
Si. ................................................................................................. 19
1.2. Формирования периодических структур на поверхности системы SiO
2
/Si 
при воздействии ультракоротких лазерных импульсов .................................... 22
1.3. Электрофизические свойства наноструктурированного кремния ............ 28
1.4. Изменение электрофизических свойств системы SiO
2
/Si при лазерном 
облучении ………………………………………………………………………..32
1.5. Применение лазерного излучения для контроля и диагностики скрытых 
дефектов в изделях микроэлектроники .............................................................. 34
Выводы к главе 1 ................................................................................................... 37