Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги наманган муҳандислик – Қурилиш

Использованная литература 
1. А. 
Раджабов, «Проблемы и перспективы развития технологии 
использования ВИЭ в сельском хозяйстве”. Материалы Международной 

---

89 
конференции «Перспективы развития возобновляемых источников энергии 
в Узбекистане», Ташкент. 28-29 марта 2018г. 
2. А.Р.Бобожонов, М.А.Ботирова «Эффективные методы выделения земель 
для солнечных электростанций в орошаемом земледелии», Материалы 
Международной 
научно-практической 
конференции 
«Проблемы 
повышения эффективности использования электрической энергии в 
отраслях агропромышленного комплекса», Ташкент. 28 ноября 2018 г. 46-
53 стр. 
3. I.M. Musaev, Sh. Shokirov Masofadan zondlash. Toshkent, Moliya-iqtisod. 
2015.-243 b. 
Интернет сайты: 
4. 
https://russianelectronics.ru/v-velikobritanii-ustanovlena-plavuchaya-
solnechnaya-ferma/
 
5. 
https://www.cleanenergo.ru/2019/v-litve-zapuskayut-proekt-plavuchej-ses-na-
250-mvt-ona-utroit-obshhuyu-moshhnost-solnechnoj-energetiki-strany/ 
УДЕШЕВЛЕНИЕ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ ПРИМЕНЕНИЕМ 
НЕТРАДИЦИОННОГО НЕОРГАНИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 
ПОДЛОЖКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА 
проф.Э.З.Имамов, акад.Р.А.Муминов, PhD.Т.А.Джалалов, асс.Х.Н.Каримов 
(ТУИТ им. Мухаммада аль-Хоразмий, НПО «Солнце»-ФТИ АН РУз) 
Принято считать, что высокая эффективность кремниевых солнечных 
элементов (СЭ) достигается только тогда, когда в качестве материала 
подложки применяется дорогостоящий, максимально чистый и строго 
кристаллический кремний, что приводит к увеличению себестоимости. 
Существенное улучшение стоимостных параметров возможно только за счет 
использования каких-то новых, нетрадиционных методов и технологий. 
В работе, применением нетрадиционного для солнечной энергетики 
неорганического материала (технический или металлургический кремний), 
предлагается новая технология существенного удешевления солнечных 
элементов.
Нетрадиционность подхода заключается в том, что никто и нигде в 
мире не рассматривает и не применяет технический кремний (низкая степень 
чистоты - 95÷99,9%), как материал полупроводниковой микроэлектроники.
В техническом кремнии остаточные фоновые примеси не вводятся 
специальным легированием, а являются от природ фоновыми естественными 
остаточными примесями с незначительной концентрацией (N
r
=10
11
÷10
13
см
-3
).
Кремниевая подложка напоминает гетерогенную, термодинамически 
неравновесную систему с четко выраженными границами раздела между 
своими компонентами (первая компонента - сетка тонких и длинных 
нитевидных бездефектных монокристаллов, вторая – разнообразные и 
разномасштабные дефекты).  
Необычная идея о том, что контактная структура при уменьшении его 
геометрических 
параметров 
проявляет, 
практически, 
идеальные 

---

90 
электрические свойства, была использована для повышения эффективности 
солнечного элемента с подложкой из технического кремния.
Однако его эффективность повышается не за счёт деления p-n перехода 
на мелкие части, а созданием на поверхности подложки (одного солнечного 
элемента из технического кремния) большого количества наноразмерных p-n 
переходов. Созданные в солнечном элементе наноразмерные p-n переходы 
(или сверхмалые p-n переходы) располагаются в пределах тонких 
бездефектных кремниевых прослоек с высокой степенью кристалличности и 
чистоты (находятся как бы в «монокристаллическом окружении»).
Эффект самоорганизации позволяет спонтанно (или самопроизвольно) 
формировать 
и 
покрывать 
поверхность 
полупроводника 
бездислокационными, 
устойчивыми, 
равновесными, 
периодически 
упорядоченными, 
когерентно 
напряженными, 
пространственно 
ограниченными в трех измерениях нанокластерами. Тонкие и длинные 
бездефектные прослойки зарождаются у освещаемой поверхности подложки 
и, пронизывая всю её толщину, заканчиваются на её тыльной стороне. 
Отметим 
природную 
специфику 
эффекта 
самоорганизации: 
нанокластер сам определяет, где ему эффектно расположиться и образовать 
наногетеропереход.  
Рост устойчивых и строго упорядоченных нанокластеров на 
поверхности кремниевой подложки сопровождается формированием 
контактной структуры. 
Если работа выхода