Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги наманган муҳандислик – Қурилиш

Kinj=(IKFT./(IKFT+In)) коэффициент инжекции
Kgen=(((1-u/VJ).^2)+0.005).^M/2 коэффициент генерации 
Где VJ - контактная разность потенциалов (1 В); 
М - коэффициент, учитывающий плавность перехода p-n (0,5);
Irevhigh=IBV*exp(sym(-(u+BVT)/(NBV*Vt),'d')) 
Где IBV - начальный ток пробоя (10-10 А); 
NBV - коэффициент неидеальности при участке пробоя (1);
Irevlow=IBVL*exp(sym(-(u+BVT)/(NBVL*Vt),'d')) 
Где IBVL - начальный ток пробоя низкого уровня (0 А); 
NBVL - коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого уровня;
Ifwd=(In.*Kinj)+(Irec.*Kgen) ток диода при положительном напряжении
Irev=Irevhigh+Irevlow ток диода при отрицательном напряжении на 
переходе
I=Ifwd-Irev ток диода

---

271 
Для проверки правильности используемых нами формул, мы построили 
вольтамперную характеристику нашего диода (прямое направление: Рис. 3; 
обратное направление Рис. 4), и, как видите, она полностью совпадает с 
вольт амперной характеристикой реального диода, поэтому можно перейти к 
следующей стадии разработки.
Рис. 4 Вольтамперная характеристика моделируемого диода (стабилитрона) в 
обратном направлении. 
(Для того чтобы показать ток пробоя, параметру BV (напряжение обратного 
пробоя) присвоили значение не бесконечность (inf - у идеального диода), а 
более меньшее значение). 
2. Выберем в Simulink блок "Matlab function" и в параметрах пропишем путь 
к нашему файлу с уравнениями (файл называется Mathfuncs_Diode). 
Входным параметром будет напряжение, которое измеряется вольтметром, а 

---

272 
выходным ток. (Рис. 5).
Рис. 5 
3. Всю систему на Рис.5 поместим в один блок - Subsystem. На Рис. 6 и 7 
показаны параметры, которые вводились в Mask editor для дальнейшей 
работы диода. Назовем наш блок с диодом DiodeModel. Создадим маску 
диода (Рис.6).
Рис. 6 Создание маски моделируемого диода 
Рис. 7 Ввод параметров моделируемого диода 
Для тестирования модели диода соберем схему на Рис.8. Блок XY Graph 

---

273 
строит ВАХ диода, Multimeter - графики напряжения и тока на диоде и 
резисторе.
Рис. 8 
Графики величин, измеряемых блоком Multimeter, в частности графики 
напряжения и тока на диоде и резисторе представлены на Рис. 
9 
Рис. 9 
Полученные зависимости, полностью удовлетворяют работе диода при 
постоянном источнике тока. Переходим к завершающей части нашей 
работы.
4. В Simulink преобразуем всю нашу схему, в одну модель. Таким образом, 

---

274 
получаем статическую модель полупроводникового диода, к которой все 
начальные параметры пользователь сможет задавать самостоятельно 
(Рис.10).
Рис. 10 
Литература. 
1. Разевиг 
В.Д. 
Применение 
программ 
P-CAD 
и 
Pspice 
для 
схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4 выпусках. Вып. 2: 
Моделирование компонентов аналоговых устройств. - М.: Радио и связь, 
1992. - 64 с. 
2. 
http://matlab.exponenta.ru