Q(hv) = (γnsγpm)12 Bularda γ ning oldidagi indekslar elektronlar va kovaklarning M va S sathlarda ushlab olinish kesimi yuzalarini koʼrsatadi. 15.1.da soʼnish kattaligi yorugʼlikning intensivligiga bogʼliq boʼlmay faqatgina M va S satxlarning elektronlarni ushlab olish kesimi yuzasining yoruglik taʼsirida oʼzgarishiga bogʼliq boʼladi.
Q oldiq fotooʼtkazuvchanlik hodisasi. Yorugʼlik taʼsirida paydo boʼlgan qoʼshimcha zaryad tashuvchilar, avval koʼrganimizdek, muvozanat holatda boʼladi va yorugʼlik taʼsiri toʼxtatilgandan keyin zaryad tashuvchilarning yashash vaqtiga teng vaqt ichida yoʼq boʼlib ketadi. Lekin, koʼp katta qarshilikka ega boʼlgan yarimoʼtkazgichlarda yorugʼlik taʼsiri toʼxtatilgandan keyin ham qoʼshimcha paydo boʼlgan elektr oʼtkazuvchanlikning koʼp qismi uzok vaqtgacha saqlanib qolishi kuzatiladi. Mana shu hodisani qoldiq oʼtkazuvchan-lik, baʼzi xollarda muzlatilgan» yoki uzoq relaksatsiyalanuvchi oʼtkazuvchanlik hodisasi deb ataladi.
Yarimoʼtkazgichda yorugʼlikning har xil intensivligiga mos kelgan qoldiq oʼtkazuvchanliklar. Qoldiq oʼtkazuvchanlikning tajribalardan aniklangan asosiy xususiyatlari quyidagilardir:
1.Qoldiq oʼtkazuvchanlik I06÷I07 s davomida saklanib turishi, baʼzan esa shu vaqt ichida ortishi ham mumkin
2.Qoldiq oʼtkazuvchanlik tokining qiymati qorongʼilikdagi tokning qiymatidan koʼp darajada ortiq (I08 marta) va juda katta zichlikka ega boʼladi (l÷10 Asm-2).
3.Qoldiq oʼtkazuvchanlikni xususiy yarimoʼtkazgichlarda yoki kirishma sathlaridan zaryad tashuvchilarni chiqarish yoʼli bilan hosil qilish mumkin. 4.Nisbatan kichik (103 V/sm) elektr maydon va issiklik energiyasi vositasida uni soʼndirish mumkin.
5.Kichik dozalarda qoldiq oʼtkazuvchanlik nurlantiruvchi zarrachalar oqimiga deyarli chiziqiy bogʼliq boʼlishi va yuqori dozalarda toʼyinishga ega boʼlishi mumkin.
6. Past temperaturalarda yoritilganda qoldiq oʼtkazuvchanlik xususiyatiga ega boʼlgan yarimoʼtkazgichlarning volьt-amper xarakteristikasi oʼta chiziqiy bogʼlanishli va kuchlanish qutblariga nisbatan simmetrik boʼladi.
Tajribalarning koʼrsatishicha, tokka qarshilik qiluvchi toʼsiqlarning balandligi φ = 0,05 eV boʼlib, bu qiymat qoldiq oʼtkazuvchanlikni issiqlik
energiyasi va elektr maydon yordamida soʼndirish davomida orta boradi.
Demak, yoritilmagan vaqtda oʼtkazuvchanlik toki nisbatan katta toʼsiqlar orqali oʼtadi va yoritilganda bu toʼsiqlar pasayadi; qoldiq oʼtkazuvchanlik holatida asosiy boʼlmagan zaryad tashuvchilar nisbatan pasaygan toʼsiklar orkali oʼtayotgan va zaryad tashuvchilarning rekombinatsiyasi taxmin kilingandan boshqa rekombinatsiyalanish toʼsiklari orkali boʼlayotganligi uchun, aytish mumkinki, zaryad tashuvchilarga qarshilik qiluvchi toʼsiklarning pasayishi rekombina¬tsiyalanish toʼsiqlari sohasidan «kelayotgan» zaryad tashuvchi¬lar hisobiga boʼladi.
Yarimoʼtkazgichlarda qoldik oʼtkazuvchanlik hodisasisini tushuntiruvchi notekis joylashgan potentsial toʼsiqlar modelini koʼrib chikaylik. Yarimoʼtkazgichlar tok yoʼnalishiga normal holda yoʼnalgan toʼsiqlar har xil balandliklarda va koʼrinishi uzun, baland joylashgan va qisqa «doʼngliklar» bilan ajratilgan «chuqurlik»lardan iborat boʼlsin (15.3-rasm). Bu xildagi toʼsiqlar monokristallarda mavjud boʼlgan har xil tabiatli makronuksonlar tufayli, polikristallarda esa sirt holatlari zichligi va ular energiyasining notekis taksimlanishi tufayli paydo boʼlishi mumkin. «Doʼngliklar» sirtga yaqin sohalarning zaryad tashuvchilar bilan «boyishi» tufayli ham paydo boʼlishi mumkin (15.3, b- rasm).
Fazoviy zaryad sohasiga yorugʼlik taʼsirida zaryad tashuvchilarning oʼtishi tufayli «doʼngliklarning» ham «chuqurliklarning» ham balandligi pasayadi. Bu xolda «chuqurliklarga» yaqin joylashgan «yonbagʼirlik»lardan kelayotgan zaryad tashuvchi¬lar hisobiga «doʼngliklar» tezroq pasayadi. Elektr oʼtkazuvchanlik mana shu «doʼngliklar» balandligiga eksponentsial ravishda bogʼlangan boʼlgani tufayli, toʼsiqlar pasayishi bilan tokning qiymati ham oshadi. Sirt holatlarining (yorugʼlik taʼsirida) zaryad tashuvchilardan ozod boʼlishi hajmiy asosiy boʼlmagan zaryad tashuvchilarning asosiy zaryad tashuvchilar bilan toʼla boʼlgan sirt holatlarida rekombinatsiyalanishi yoki shu holatlardan zaryad tashuvchi¬larni yorugʼlik yordamida chiqarish tufayli yuz beradi. Shuni aytish kerakki, bu holda toʼsiqlar orqali boʼladigan elektr oʼtkazuvchanlik (yarimoʼtkazgichlarning tajribada koʼrinuvchi elektr oʼtkazuvchanligi) keskin oʼzgarib turadi.
