O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. E. Mamarajabov, sh sh. Adinayev, R. A. Razzokov kompyuter ta’minoti

p 
yoki 
r 
— turdagi kanalga ega MOP tranzistorlar jufti keng 
ishlatiladi. Bunday juft tronzistorlar 
komplementar tranzistor. 
deb ataladi va 
elektro kalit vazifasida ishlatiladi. Ular juda kichik toklarda ishlaydi va o’ta tezkor 
qurilma hisoblanadi. 
Diodlar. 
Odatda diod qilish uchun bitta 
r 
— 
p 
o’tish yasash yetarli bo’ladi. Lekin 
IMSlarda tranzistor tarkibi asos qilib olingani uchun u bipolyar tranzistorning 
o’tishlari orqali yaratiladi. 
Bipolyar tranzistordan diod qilishning 5 xil turi mavjud. Ular bir-biridan 
parametrlari bilan farq qiladi.
Rezistorlar.
IMSda rezistorlar bipolyar tranzistorning baza, kollektor yoki 
emitter qatlamlari tarkibida yuzaga keladi. Bunda diffuziya usulidan 
foydalanilgani uchun ular 
diffuzion rezistorlar 
deb ataladi. Diffuzion rezistorlar 
yarim o’tkazgich hajmidan 
r 
—
p
o’tishlar yordamida himoya qilib ajratiladi. 
Diffuzion rezistorning qarshiligi rezistor vazifasini bajaradigan sohaning 
geometrik o’lchamlariga va undagi qotishmaning kontsentratsiyasiga bog’liq. 
R
— 
qatlam ya’ni tranzistorning bazasi asosida yaratilgan rezistarlarning qarshiligi bir 
necha 10 kiloomni tashkil qilsa, emitter qatlami asosida yaratilgan rezistorlarning 
qarshiligi kichik bo’ladi. Katta qarshilikli rezistorlar ion implantatsiyasi 
(ko’chirilishi) usulida tayyorlanadi. 
Rezistorlar MOP—tarkibli unipolyar tranzistor asosida ham yaratiladi. Bunda 
rezistor vazifasini tranzistorning kanali bajaradi. Qarshiligining kattaligi esa, 
zatvor kuchlanishi yordamida boshqariladi. Boshqaruvchi 
r 
— 
p 
o’tishli 
tranzistor asosida yasaladigan rezistorlar 
tinch 
— 
rezistor 
deb ataladi. 
Kondensatorlar. 
IMSlarda kondensatorlar maxsus texnologiya asosida 
yasalmaydi. Ular tranzistorlar va diffuzion rezistorlarni yasash jarayonida hosil 
qilinadi. Bunda 
r 
— 
p 
o’tishga teskari yo’nalishda kuchlanish ulangandagi to’siq, 

---

53 
qatlamning sig’im
kondensator vazifasini bajaradi. Ular 
diffuzion kondensator 
deb ataladi. Bunday kondensatorlarning dielektrigi bo’lib 
r
—
p 
o’tishning hajmiy 
zaryadlar sohasi hizmat qiladi 
Bipolyar tranzistorlarda kondensator hosil qilishning 3 xil usuli mavjud: emitter 
— baza o’tishi, kollektor — baza o’tishi va kollektor — taglik («yer») oralig’i. 
Emitter — baza o’tishi hisobiga hosil qilingan kondensatorning solishtirma 
sig’imi eng katta (1500 pf/mm
2
gacha) bo’lib, buzilish kuchlanishi eng kichik 
(birnecha volt) bo’ladi. Kollektor — baza o’tishidan foydalanilganda esa, 
kondensatorning 
SIG
’
IMI 
5— 6 marta kichrayadi, lekin buzilish kuchlanishi 
shuncha maptaga ortadi. Bu ikki variantda tayyorlangan kondensatorlarning 
asosiy kamchiligi — kondensator qoplamalari bilan taglik («yer») orasida zararli 
sig’imning
hosil bo’lishidir. Bu kamchilik kondensatorlarning uchinchi turida 
yo’qotiladi, chunki kondensatorning II koplamasi bo’lib taglik «yer» hizmat qiladi. 
Diffuzion kondensatorlar o’zgarmas yoki o’zgaruvchan bo’lishi mumkin. 
Kondensator sig’imi
o’zgarmas bo’lishi uchun 
r 
— 
p 
o’tishga beriladigan teskari 
kuchlanish doimiy bo’lishi lozim. Agar bu kuchlanish o’zgaruvchan bo’lsa, 
sig’im
ham o’zgaruvchan bo’ladi. Lekin 
r
—
p 
o’tish sig’im chiziqli bo’lmagan 
kattalik bo’lgani uchun uning o’zgarishi kuchlanishga mutanosib bo’lmaydi 
(Teskari kuchlanish 1-10 V oraliqda o’zgarganda kondensator sig’im
2:2,5 
marta o’zgaradi). 
MOP tarkibli unipolyar tranzistorlarda ham kondensator hosil qilinadi. Lekin 
ularning sig’im kichik (500 pf gacha) bo’ladi. 
Induktivlik. 
Yarim o’tkazgichli IMSlarda induktivlik g’altagi va 
transformatorlar biror texnologiya asosida hosil qilinmaydi. SHuning uchun ular 
tranzistor, rezistor va kondensatorlarning biror tur ulanishi isobiga ekvivalent 
element sifatida olinadi. Tranzistorning emitter — kollektor oralig’iga ulangan 
o’zgaruvchan kuchlanishning bir qismi RC—zanjir orqali uning bazasiga 
uzatiladi. Agar R va S elementlar shunday bo’lsaki, R -tengsizlik bajarilsa, 
RC—zanjirdan utadigan tokning fazasi U kuchlanish fazasi bilan mos tushadi. Lekin 
U
c
kon-densator kuchlanishi undan 90° orqada qoladi. Kondensator kuchlanishi 

---

54 
bazaga ta’sir etgani uchun kollektor tokini boshqaradi va u bilan mos fazada 
o’zgaradi. SHuning uchun 1
K 
tok U kuchlanishdan 90° orqada qoladi. Demak, 
sxemadagi tranzistor U kuchlanishga induktiv qarshilik ta’sirini ko’rsatadi: 
X
L
ekv
ya’ni tranzistor 
ekv
driaduktivlikka ekvivalent bo’ladi.